諧振隧穿二極管（RTD）及其集成技術的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該文介紹了一種納米電子器件:諧振隧穿二極管(RTD),它是一種新型GaAs襯底二端口器件,具有高速和雙穩(wěn)態(tài)兩大特性.該文詳細介紹了諧振隧穿二極管的工作原理及其設計.我們在理論上對雙壘單阱結構進行了分析,詳細討論了超晶格層對器件特性的影響,并在此基礎上進行設計,制作和測試,并對測試結果進行了分析.主要的研究成果如下:1.設計研制出具有國內領先水平的諧振隧穿二極管,具有較高的電流峰谷比(PVCR),室溫達到7.6:1;較好的頻率特性,最高振

2、蕩頻率為54GHz.2.測試并分析了RTD的直流特性、雙穩(wěn)態(tài)特性和電路特性.3.采用器件模擬軟件"SILVACO"中的模擬程序"ATLAS"對諧振隧穿二極管進行了器件模擬,模擬了其直流特性,能帶結構,模擬分析了勢壘寬度、勢阱寬度、勢壘高度和摻雜濃度對其直流特性的影響.4.設計出由諧振隧穿二極管(RTD)和高電子遷移率晶體管(HEMT)構成的靜態(tài)分頻器.并采用SILVACO軟件對其中的HEMT進行了器件模擬,模擬結果顯示出HEMT的設計是

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