GaAs襯底共振隧穿二極管的研究.pdf

1、共振隧穿二極管（RTD）是一種新型二端口負(fù)阻器件，有高速和雙穩(wěn)態(tài)兩大特性。 RTD 利用了共振隧穿傳輸機(jī)理，使器件的開關(guān)速度達(dá)到幾個(gè)ps，它具有速度快，功耗低，完成特定功能可減少電路的復(fù)雜性等特點(diǎn)。在傳統(tǒng)CMOS器件逐步趨近于尺寸極限之際，包括RTD等的納米電子器件將越來越顯示出其重要性。 本論文進(jìn)行了共振隧穿二極管的設(shè)計(jì)，利用MBE技術(shù)和傳統(tǒng)器件工藝成功研制了GaAs襯底R(shí)TD單管，測試分析了材料和器件特性，詳細(xì)討論了

2、雙勢壘單阱結(jié)構(gòu)參數(shù)對器件特性參數(shù)的影響。同時(shí)介紹了幾種關(guān)于RTD 的應(yīng)用電路。 所得主要結(jié)果如下： 1. 設(shè)計(jì)研制出AlAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlAs共振隧穿二極管，具有較高的峰谷電流比（PVCR），室溫達(dá)到5.1：1；較好的峰值電流密度，最高達(dá)到73.6kA/cm2。 2. 研究了用X射線雙晶衍射儀和PL 譜測試儀對RTD材料進(jìn)行常溫測試分析的方法。 3. 利用RADS Mercury