二次離子質(zhì)譜分析碳化硅中釩雜質(zhì)含量的研究.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、本論文采用二次離子質(zhì)譜(SIMS)法定量分析離子注入碳化硅樣品以及升華法生長(zhǎng)的摻雜碳化硅樣品中金屬釩雜質(zhì)含量。用相對(duì)靈敏度因子的方法，分析痕量雜質(zhì)釩在碳化硅表面的濃度隨深度變化的情況。在SIMS完成成份深度分析過(guò)程中，對(duì)一次束流強(qiáng)、轟擊時(shí)間、二次離子收集面積、二次離子種類(lèi)、二次離子能量范圍和質(zhì)量分辨率等實(shí)驗(yàn)參數(shù)進(jìn)行研究，建立了實(shí)驗(yàn)分析方法。以離子注入的樣品為標(biāo)樣，用二次離子質(zhì)譜分析了注入的金屬釩原子在碳化硅中深度分布，并與TRIM模擬對(duì)

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