碳化硅離子注入及歐姆接觸的研究.pdf

1、本文對(duì)碳化硅離子注入和歐姆接觸的特性進(jìn)行了深入的研究,分析了不同晶型和溝道效應(yīng)對(duì)于離子注入結(jié)果的影響,分別給出了蒙特卡羅模擬軟件TRIM對(duì)P、N、Al離子注入SiC中雜質(zhì)濃度分布的模擬結(jié)果,該結(jié)果給出了離子注入實(shí)驗(yàn)中的注入能量和劑量值.研究了TRIM模擬的結(jié)果和實(shí)驗(yàn)值之間存在的差異,發(fā)現(xiàn)可以用PearsonⅣ型函數(shù)對(duì)TRIM模擬的結(jié)果進(jìn)行修正,能適當(dāng)?shù)慕鉀Q溝道效應(yīng)的影響.研究了獲得低阻高穩(wěn)定性的歐姆接觸的方法和途徑.分別提出n型和p型S

2、iC歐姆接觸的形成機(jī)理能帶模型,給出了選用適當(dāng)歐姆接觸金屬的方法,討論了歐姆接觸穩(wěn)定性,研究了制備良好歐姆特性的歐姆接觸工藝條件.為了減少工藝難度,研究了同時(shí)制作n型和p型SiC歐姆接觸的可行性,為以后改進(jìn)工藝提供了依據(jù).設(shè)計(jì)出制備高性能歐姆接觸的工藝流程,討論了制備中可能遇到的問題并提出了解決方法并進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)流片.本文的工作不僅對(duì)碳化硅離子注入模擬方法提出了新的思路和見解,而且還提出了說明SiC歐姆接觸的形成機(jī)理的能帶模型并給出了優(yōu)化