電沉積CoPt合金及低維TiO-,2-材料的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變研究.pdf

1、納米結(jié)構(gòu)材料有著廣闊的應(yīng)用前景，同時(shí)，納米材料的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變行為對材料的特性有著重要的影響，深刻理解并控制材料的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變是納米材料實(shí)際應(yīng)用中必須解決的關(guān)鍵問題。本文選擇在磁記錄材料領(lǐng)域具有潛在應(yīng)用前景的CoPt合金薄膜和具有高效的光催化性能的TiO<,2>納米線和納米粉體為研究對象，采用X射線衍射、透射電子顯微鏡和磁性測量等技術(shù)，研究了它們的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變。 利用電沉積及后續(xù)退火的方法制備了A1+L1<,0>CoPt膜，研究了CoPt膜在

2、退火條件下的微結(jié)構(gòu)及磁性能的轉(zhuǎn)變。結(jié)果表明，在650℃退火2.5 h后，軟磁A1相含量為27％，軟磁相和永磁相L1<,0>相之間存在強(qiáng)的交換耦合作用，獲得了H<,c>=14.2 kOe的較大矯頑力和M<,r>/M<,s>=0.88的較高剩磁比。 采用多孔氧化鋁模板，結(jié)合化學(xué)法制備了直徑為20 nm的非晶TiO<,2>納米線。自由態(tài)非晶TiO<,2>納米線在600℃就發(fā)生晶型轉(zhuǎn)變，而模板束縛態(tài)下的TiO<,2>納米線在900℃才開