嵌入式密勒補償放大器的研究與設計.pdf

1、近幾年來，快速增長的IC需求已經使模擬電路的設計產生了一些根本性的變化。電路設計的重點已經從基本的參數要求轉向了低電壓、低功耗方面，同時要求電路具有更好的精確度和更低的噪聲。隨著電路設計轉向低電壓需求，電路結構的頻率補償技術也有了新的需求。補償方式不僅要降低能耗，還必須適應低壓電路的拓撲結構。因此，研究作為通用模擬電路模塊的運算放大器具有重要意義。在國家自然科學基金和四川省學術帶頭人基金的資助下，針對電源管理芯片的應用需求，我們進行了其

2、中運算放大器模塊的設計和其所采用的補償技術研究。 論文基于運算放大器的基本原理，結合嵌入式密勒補償技術的工作原理，首先對運算放大器的基本組成電路進行介紹，為電路設計做了必要的理論支持。然后，針對運算放大器指標特性，對整個設計過程作出了說明。 出于對采用補償技術的運算放大器技術指標的綜合考慮，設計出了基于嵌入式密勒補償技術的兩級CMOS運算放大器，并對電路中的共源共柵輸入級、共源級輸出電路、頻率補償技術和運放電源抑制比做了

3、分析說明。 基于UMC的0.5μm的雙鋁雙層多晶CMOS工藝MODEL，采用Hspice仿真工具，對所設計的電路進行了詳細的仿真。仿真項目包括放大器的開環(huán)增益、相位裕度、共模及差模輸入范圍、轉換速率等。結果表明，在3V的電源電壓下，放大器直流增益為87dB，相位裕度63°，增益帶寬1.2MHz，電源抑制比75.6dB，達到設計要求。此放大器的突出優(yōu)點為結構簡單，頻率補償效果好。用兩級放大電路實現(xiàn)了較高的性能指標，使開環(huán)增益在低頻