嵌入式密勒補(bǔ)償放大器的研究與設(shè)計(jì).pdf

1、近幾年來，快速增長的IC需求已經(jīng)使模擬電路的設(shè)計(jì)產(chǎn)生了一些根本性的變化。電路設(shè)計(jì)的重點(diǎn)已經(jīng)從基本的參數(shù)要求轉(zhuǎn)向了低電壓、低功耗方面，同時(shí)要求電路具有更好的精確度和更低的噪聲。隨著電路設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)向低電壓需求，電路結(jié)構(gòu)的頻率補(bǔ)償技術(shù)也有了新的需求。補(bǔ)償方式不僅要降低能耗，還必須適應(yīng)低壓電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。因此，研究作為通用模擬電路模塊的運(yùn)算放大器具有重要意義。在國家自然科學(xué)基金和四川省學(xué)術(shù)帶頭人基金的資助下，針對(duì)電源管理芯片的應(yīng)用需求，我們進(jìn)行了其

2、中運(yùn)算放大器模塊的設(shè)計(jì)和其所采用的補(bǔ)償技術(shù)研究。 論文基于運(yùn)算放大器的基本原理，結(jié)合嵌入式密勒補(bǔ)償技術(shù)的工作原理，首先對(duì)運(yùn)算放大器的基本組成電路進(jìn)行介紹，為電路設(shè)計(jì)做了必要的理論支持。然后，針對(duì)運(yùn)算放大器指標(biāo)特性，對(duì)整個(gè)設(shè)計(jì)過程作出了說明。 出于對(duì)采用補(bǔ)償技術(shù)的運(yùn)算放大器技術(shù)指標(biāo)的綜合考慮，設(shè)計(jì)出了基于嵌入式密勒補(bǔ)償技術(shù)的兩級(jí)CMOS運(yùn)算放大器，并對(duì)電路中的共源共柵輸入級(jí)、共源級(jí)輸出電路、頻率補(bǔ)償技術(shù)和運(yùn)放電源抑制比做了

3、分析說明。 基于UMC的0.5μm的雙鋁雙層多晶CMOS工藝MODEL，采用Hspice仿真工具，對(duì)所設(shè)計(jì)的電路進(jìn)行了詳細(xì)的仿真。仿真項(xiàng)目包括放大器的開環(huán)增益、相位裕度、共模及差模輸入范圍、轉(zhuǎn)換速率等。結(jié)果表明，在3V的電源電壓下，放大器直流增益為87dB，相位裕度63°，增益帶寬1.2MHz，電源抑制比75.6dB，達(dá)到設(shè)計(jì)要求。此放大器的突出優(yōu)點(diǎn)為結(jié)構(gòu)簡單，頻率補(bǔ)償效果好。用兩級(jí)放大電路實(shí)現(xiàn)了較高的性能指標(biāo)，使開環(huán)增益在低頻