放大器頻率補(bǔ)償理論的研究與分析.pdf

1、隨著器件尺寸縮小和電源電壓的下降，電路設(shè)計(jì)的重點(diǎn)已經(jīng)從基本的參數(shù)要求轉(zhuǎn)向低電壓、低功耗方面，同時(shí)要求電路具有更好的精確度和更低的噪聲。在低電源電壓的條件下，基于共源共柵技術(shù)的單級(jí)放大器已經(jīng)不能滿足高增益要求。很多電路設(shè)計(jì)者了解到低電壓多級(jí)放大器的重要性。但是，由于所有的多級(jí)放大器本身會(huì)產(chǎn)生多個(gè)極點(diǎn)，會(huì)造成電路的不穩(wěn)定。因此出現(xiàn)了很多頻率補(bǔ)償結(jié)構(gòu)。 本文基于放大器頻率特性，首先從理論上詳細(xì)分析了兩級(jí)放大器頻率補(bǔ)償?shù)膬煞N結(jié)構(gòu)，綜合考

2、慮采用補(bǔ)償技術(shù)的放大器技術(shù)指標(biāo)，針對(duì)這兩種補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的理論分別設(shè)計(jì)了電路，詳細(xì)介紹了每個(gè)電路各個(gè)部分的構(gòu)成以及如何設(shè)計(jì)，計(jì)算出各個(gè)電路增益、極點(diǎn)的表達(dá)式、共模輸入范圍。采用UMC 0.6 um雙鋁雙層多晶BICMOS工藝MODEL對(duì)電路的各個(gè)性能指標(biāo)進(jìn)行仿真分析，仿真的性能指標(biāo)包括放大器的開(kāi)環(huán)增益、相位裕度、共模輸入范圍、差模輸入范圍、電源電壓抑制比、共模抑制比。最后比較分析這兩種電路。本章中設(shè)計(jì)的兩個(gè)兩級(jí)放大器實(shí)現(xiàn)了好的性能指標(biāo)，增益帶

3、寬大，頻率特性好，在實(shí)際中能夠很好的應(yīng)用。 接著對(duì)三級(jí)放大器頻率補(bǔ)償理論進(jìn)行深入的研究和分析。設(shè)計(jì)了兩個(gè)三級(jí)放大器電路。從整體上詳細(xì)分析了電路的組成，分別計(jì)算了電路的增益和極點(diǎn)，同樣采用UMC 0.6 um雙鋁雙層多晶BICMOS工藝MODEL對(duì)電路的各個(gè)性能指標(biāo)進(jìn)行仿真分析，仿真的性能指標(biāo)包括放大器的開(kāi)環(huán)增益、相位裕度、共模輸入范圍、差模輸入范圍、電源電壓抑制比、共模抑制比。本章最后比較分析這兩個(gè)三級(jí)放大器電路。 最后