已閱讀1頁(yè),還剩54頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀
版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、目前,利用n型GaAs材料的負(fù)微分遷移率特性這一原理制成的耿器件是當(dāng)前微波器件的重要種類之一。因此對(duì)耿器件進(jìn)行計(jì)算機(jī)模擬就顯得很有意義。本論文將根據(jù)W·Fawcett等人的二能帶躍遷理論模型,認(rèn)為n型GaAs材料導(dǎo)帶中Γ帶里的電子在電場(chǎng)作用下,其能量升高后會(huì)躍遷到X帶而出現(xiàn)負(fù)阻特性。本文采用Monte Carlo微粒法對(duì)n型GaAs材料的負(fù)微分遷移率特性進(jìn)行計(jì)算機(jī)模擬。首先分析了n型GaAs材料中載流子的產(chǎn)生、復(fù)合、散射以及漂移機(jī)制,利
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- SiC MOSFET溝道電子遷移率的Monte Carlo模擬研究.pdf
- ZnS材料電子輸運(yùn)特性的Monte Carlo模擬.pdf
- 填充型導(dǎo)電高分子復(fù)合材料的Monte Carlo模擬.pdf
- 高遷移率應(yīng)變SiGe上NiSiGe材料特性的研究.pdf
- 堆棧高k柵介質(zhì)(In)GaAs MOS器件電子遷移率模型及界面特性研究.pdf
- 基于Monte Carlo方法的RIE模擬.pdf
- 基于Monte Carlo方法的LPCVD模擬.pdf
- 雜稠芳環(huán)n型有機(jī)半導(dǎo)體遷移率的理論研究.pdf
- 高遷移率半導(dǎo)體材料的自旋注入.pdf
- 薄膜PLD生長(zhǎng)的Monte-Carlo模擬.pdf
- 單電子器件的Monte Carlo模擬.pdf
- Griffiths相及Monte Carlo模擬.pdf
- 生物老化的Monte Carlo模擬模型.pdf
- PEMFC催化層的Monte Carlo模擬.pdf
- 人眼波前像差的Monte Carlo模擬.pdf
- 纖鋅礦相GaN材料空穴輸運(yùn)特性的全帶多粒子Monte Carlo模擬研究.pdf
- 基于剪滯模型的復(fù)合材料細(xì)觀力學(xué)特性Monte-Carlo模擬.pdf
- 纖鋅礦n-GaN的補(bǔ)償度及遷移率模型.pdf
- 向列相液晶相變的Monte Carlo模擬.pdf
- 周期性Freedericksz形變的Monte Carlo模擬.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論