多孔氧化鋁制備及相關材料特性研究.pdf

1、本文主要研究多孔氧化鋁的制備和CdSe量子點的熒光特性。本文的多孔氧化鋁膜實驗，主要采用磷酸和草酸作為電解液，研究了多孔氧化鋁膜的制備方法，實驗結(jié)果證明，二次氧化法能夠得到更加有序、均勻的多孔氧化鋁膜。根據(jù)陽極氧化中電流與時間的變化規(guī)律分析了多孔氧化鋁膜的形成過程。實驗結(jié)果表明，氧化鋁的孔間距與陽極氧化電壓的關系近似于線性。掃描電子顯微鏡照片顯示，多孔氧化鋁膜的局部呈現(xiàn)出有序、均勻的周期結(jié)構(gòu)。通過統(tǒng)計計算，還發(fā)現(xiàn)氧化鋁膜的孔隙率只有8％

2、，并沒有達到10％，因此實驗照片和實驗數(shù)據(jù)是一致的，同時說明需要進一步改變實驗條件，制備出孔隙率達到10％、呈現(xiàn)周期的多孔氧化鋁膜。本文還分析了CdSe量子點在不同生長時間的熒光特性。各CdSe量子點熒光峰的半高寬基本一致的結(jié)果說明，各樣品中量子點的尺度漲落基本一致。熱處理和激光照射使CdSe量子點熒光峰的強度明顯減弱了。特別是在110℃和150℃的熱處理作用下，CdSe量子點的熒光峰位發(fā)生了藍移。在無限深球方勢阱模型的基礎上分析了量子