發(fā)光粉CeO2-Eu3+和SrCeO3-Eu3+的合成及其發(fā)光性能研究.pdf

1、發(fā)光粉CeO2:Eu3和SrCeO3:Eu3的合成及其發(fā)光性能研究I摘要通過高溫固相反應(yīng)法制備了摻Eu3基質(zhì)為CeO2的發(fā)光粉系列樣品并對其做了X射線衍射譜（XRD）和光致發(fā)光譜（PL）檢測。XRD結(jié)果表明在Eu3摻雜濃度為0.2―10at.%的范圍內(nèi)，Eu3完全進入了CeO2的晶格，形成固溶體Ce1xEuxO2；PL譜表明Eu3的發(fā)射峰強度依賴于Eu3的摻雜濃度，在Eu3的含量為1at.%時最強，隨后出現(xiàn)濃度猝滅。用solgel法制備

2、了不同溫度燒結(jié)的SrCeO3摻Eu31at.％樣品。XRD結(jié)果表明，850oC燒結(jié)時已出現(xiàn)SrCeO3。1000oC和1100oC燒結(jié)樣品中仍有CeO2，且出現(xiàn)了Sr2CeO4，1100oC燒結(jié)的樣品中雜相CeO2和Sr2CeO4較少。1250oC燒結(jié)的樣品中已無Sr2CeO4，仍有CeO2。由于SrCO3：CeO2摩爾比為1:1，推斷SrCO3在高溫燒結(jié)過程中有揮發(fā)。用高溫固相反應(yīng)法制備了摻雜不同濃度Eu3離子的SrCeO3樣品。XR

3、D表明，在高摻雜下，析出CeO2，說明Eu3離子在晶格中替代的是Ce4離子的格位，為驗證此結(jié)論，又減少CeO2含量（與摻雜的Eu3離子同樣摩爾量），焙燒了新樣品，確定了Eu3離子在晶格中大部分替代Ce4離子的位置，少部分替代Sr2離子的位置。光譜分析顯示，~239nm和~258nm激發(fā)帶起源于基質(zhì)的紫外吸收，~273nm、~298nm激發(fā)帶為Eu3O2的電荷遷移帶，~285nm和~310nm激發(fā)帶屬于Ce4O2的電荷遷移帶。5D0－7F

4、1躍遷和5D0－7F2躍遷從0.5at.%到15at.%逐漸增強，在Eu3含量為15at.%時最強，沒有出現(xiàn)濃度猝滅；422nm的發(fā)射帶在290nm激發(fā)下Eu3濃度5at.%時最強，但在236nm激發(fā)下Eu3濃度15at.%時最強；10at.%樣品的不同激發(fā)對應(yīng)不同的最強發(fā)射，~236nm激發(fā)帶有利于~422nm發(fā)射，~241nm激發(fā)帶有利于370nm－470nm發(fā)射，~258nm和~290nm激發(fā)帶有利于Eu3的特征發(fā)射。關(guān)鍵詞關(guān)鍵詞