用于微晶硅鍺電池的P型摻雜層及P-I界面過渡層研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、在多結太陽電池的發(fā)展中，微晶硅鍺作為窄帶隙材料具有很好的應用前景并受到越來越多的關注。當它作為太陽電池的吸收層材料時，在P/I界面的SiGe/Si異質(zhì)結問題凸顯出來。界面處的帶隙和晶格失配導致了載流子復合率的上升，影響了電池性能。
　　 本文應用兩種方法解決這一問題。第一種是使用與本征層Ge含量和晶格結構接近的硼摻雜微晶硅鍺層；另一種是在P型微晶硅和本征層之間生長過渡層。
　　 對P型μc-Si和μc-SiGe的研究發(fā)現(xiàn)

2、，兩種材料的電導率隨著B2H6和氫稀釋率的增長都呈現(xiàn)倒U型曲線。在以GeF4為Ge源制備P型μc-SiGe時，反應氣體中GeF4氣體流量的增加使得晶化率單調(diào)增加，但是電導率在其中一點有最高值，之后就下降了。而以GeH4為Ge源時，GeH4氣體比例增加導致了材料晶化率和電導率的少許下降。以GeH4制備的材料其Ge含量顯著偏低的現(xiàn)象可能歸因為摻雜和Ge含量縱向分布不均勻性。
　　 生長在摻雜層之上的本征μc-Si過渡層其初始晶化率與

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