P型微晶硅材料的性能研究及其在柔性襯底非晶硅基薄膜太陽(yáng)電池上的應(yīng)用.pdf

1、目前，具備低成本特點(diǎn)的硅基薄膜太陽(yáng)電池已成為太陽(yáng)電池研究的重點(diǎn)，其中，不論是非晶硅薄膜太陽(yáng)電池還是微晶硅薄膜太陽(yáng)電池都具有各自顯著的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)，而本論文中所制備的柔性襯底倒結(jié)構(gòu)非晶硅薄膜太陽(yáng)電池是以P型微晶硅材料作為其窗口層，從而集多種類型太陽(yáng)電池的優(yōu)點(diǎn)于一身，使所制備的太陽(yáng)電池既可以擁有非晶硅本征層高吸收系數(shù)的特點(diǎn)，同時(shí)，微晶化的窗口層材料又具備良好的電學(xué)特性，并且以柔性材料作為襯底使得電池的應(yīng)用領(lǐng)域得到了充分的擴(kuò)展。
　　

2、論文敘述了采用RF-PECVD技術(shù)來(lái)生長(zhǎng)P型微晶硅材料以及制備P型微晶硅材料作為窗口層的柔性襯底倒結(jié)構(gòu)非晶硅太陽(yáng)電池，在介紹了微晶硅材料及太陽(yáng)電池的相關(guān)研究背景、實(shí)驗(yàn)工藝和性能測(cè)試方法之后，作為論文的核心部分，文章分析了P型微晶硅材料各沉積參數(shù)對(duì)其性能的影響以及P型微晶硅材料作為窗口層在太陽(yáng)電池中的應(yīng)用。
　　 在對(duì)P型微晶硅材料的特性研究中，論文分別從氫稀釋率、反應(yīng)壓強(qiáng)、襯底溫度、反應(yīng)功率密度和硼摻雜濃度的角度分析了這些反應(yīng)參

3、數(shù)對(duì)材料暗態(tài)電導(dǎo)率、光學(xué)帶隙以及材料晶化率的影響，比較詳盡的分析了材料各反應(yīng)參數(shù)的作用原理和機(jī)制，并對(duì)分層生長(zhǎng)P型微晶硅材料的工藝條件進(jìn)行了初步的研究，從而制備出了晶化率良好且暗態(tài)電流達(dá)到0.8mA的P型微晶硅材料。
　　 將P型微晶硅材料應(yīng)用于非晶硅太陽(yáng)電池后，本文比較詳細(xì)的討論了P型微晶硅材料的厚度、摻雜濃度以及晶化率對(duì)太陽(yáng)電池輸出特性的影響作用，并分析了非晶本征吸收層I層對(duì)生長(zhǎng)在其上的P層材料的特性乃至對(duì)太陽(yáng)電池整體性能的