P型微晶硅材料的性能研究及其在柔性襯底非晶硅基薄膜太陽電池上的應(yīng)用.pdf

1、目前，具備低成本特點(diǎn)的硅基薄膜太陽電池已成為太陽電池研究的重點(diǎn)，其中，不論是非晶硅薄膜太陽電池還是微晶硅薄膜太陽電池都具有各自顯著的特點(diǎn)和優(yōu)勢，而本論文中所制備的柔性襯底倒結(jié)構(gòu)非晶硅薄膜太陽電池是以P型微晶硅材料作為其窗口層，從而集多種類型太陽電池的優(yōu)點(diǎn)于一身，使所制備的太陽電池既可以擁有非晶硅本征層高吸收系數(shù)的特點(diǎn)，同時(shí)，微晶化的窗口層材料又具備良好的電學(xué)特性，并且以柔性材料作為襯底使得電池的應(yīng)用領(lǐng)域得到了充分的擴(kuò)展。
　　

2、論文敘述了采用RF-PECVD技術(shù)來生長P型微晶硅材料以及制備P型微晶硅材料作為窗口層的柔性襯底倒結(jié)構(gòu)非晶硅太陽電池，在介紹了微晶硅材料及太陽電池的相關(guān)研究背景、實(shí)驗(yàn)工藝和性能測試方法之后，作為論文的核心部分，文章分析了P型微晶硅材料各沉積參數(shù)對其性能的影響以及P型微晶硅材料作為窗口層在太陽電池中的應(yīng)用。
　　 在對P型微晶硅材料的特性研究中，論文分別從氫稀釋率、反應(yīng)壓強(qiáng)、襯底溫度、反應(yīng)功率密度和硼摻雜濃度的角度分析了這些反應(yīng)參

3、數(shù)對材料暗態(tài)電導(dǎo)率、光學(xué)帶隙以及材料晶化率的影響，比較詳盡的分析了材料各反應(yīng)參數(shù)的作用原理和機(jī)制，并對分層生長P型微晶硅材料的工藝條件進(jìn)行了初步的研究，從而制備出了晶化率良好且暗態(tài)電流達(dá)到0.8mA的P型微晶硅材料。
　　 將P型微晶硅材料應(yīng)用于非晶硅太陽電池后，本文比較詳細(xì)的討論了P型微晶硅材料的厚度、摻雜濃度以及晶化率對太陽電池輸出特性的影響作用，并分析了非晶本征吸收層I層對生長在其上的P層材料的特性乃至對太陽電池整體性能的