2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè),還剩59頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、鉭鈮酸鉀(KTN)材料具有非凡的電光效應(yīng)和熱釋電效應(yīng),作為一種無(wú)鉛的堿金屬鈮酸鹽備受鐵電壓電材料研究領(lǐng)域的關(guān)注,但KTN材料的電導(dǎo)率及漏電流較高,難于極化和器件化,使其實(shí)用性受到限制。本課題納米粉體摻雜改性,旨在解決電導(dǎo)率和漏電流較高的問(wèn)題,將為KTN材料的實(shí)用化提供一條新的途徑。本文采用水熱合成技術(shù)對(duì)KTN進(jìn)行和摻雜改性研究,成功的制備出和 兩種摻雜體系納米粉體,并在富氧條件下制備出摻雜體系陶瓷樣品,同時(shí)系統(tǒng)的研究了摻雜離子及摻雜量對(duì)

2、晶體結(jié)構(gòu)和性能的影響規(guī)律。 采用XRD衍射和Raman測(cè)試對(duì)摻雜體系晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征,結(jié)果表明,我們得到高純的四方相的KTN納米粉體;取代KTN鈣鈦礦中離子的位置,實(shí)現(xiàn)了A位,B位取代;晶格常數(shù),晶格畸變度和晶粒大小與摻雜量有較大關(guān)系,這主要由于取代離子與原離子的半徑差異引起的。 運(yùn)用精密數(shù)字電橋,可調(diào)直流電和Agilent39470A數(shù)據(jù)采集儀等測(cè)量?jī)x器對(duì)KTN摻雜體系陶瓷樣品的介電性,導(dǎo)電性及漏電流特性進(jìn)行測(cè)量和分析

3、。實(shí)驗(yàn)表明,不同的測(cè)試頻率及摻雜量對(duì)KTN陶瓷的介電常數(shù),介電損耗,電導(dǎo)率有較大影響。在頻率為1KHZ下,離子摻雜量為0.04mol的KTN陶瓷的介電常數(shù)最大,分別為純KTN陶瓷的2倍和5倍;離子摻雜量分別為0.05mol,0.06mol時(shí)均使電導(dǎo)率下降一倍;兩種摻雜離子都可以有效的降低KTN陶瓷的漏電流,離子的摻雜量分別為0.04mol,0.08mol時(shí),KTN陶瓷的漏電流最小。摻雜對(duì)KTN陶瓷電性能的影響主要是由晶格畸變及雜質(zhì)離子帶

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論