鎂摻雜鉭酸鋰的生長和結(jié)構(gòu)及性能的研究.pdf

1、鉭酸鋰晶體具有優(yōu)良的電學(xué)及光學(xué)性能，良好的機(jī)電耦合、溫度系數(shù)等綜合性能而被用于制造高頻聲表面波器件，并應(yīng)用在手機(jī)、對講機(jī)、衛(wèi)星通訊、航空航天等許多高端通訊領(lǐng)域。在全息存儲(chǔ)和準(zhǔn)相位匹配等方面得到了廣泛的應(yīng)用。然而鉭酸鋰晶體在高光強(qiáng)照射的情況下會(huì)產(chǎn)生光致散射，導(dǎo)致全息存儲(chǔ)圖像質(zhì)量嚴(yán)重下降。本文采用摻雜MgO的方法提高晶體的抗光致散射能力，從中頻加熱爐中生長出無明顯宏觀缺陷、光學(xué)均勻性好的同成分Mg：LiTaO3單晶。 X-射線粉末衍

2、射實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明同成分Mg：LiTaO3晶體摻Mg后品格結(jié)構(gòu)未有變化。對Mg：LiTaO3晶體的晶胞參數(shù)進(jìn)行計(jì)算后發(fā)現(xiàn)，晶格常數(shù)隨著MgO含量的增加而增加。利用差熱分析測試Mg：LiTaO3晶體的居里溫度，發(fā)現(xiàn)當(dāng)MgO含量低于其閾值濃度時(shí)，晶體的居里溫度隨MgO含量的增加而上升。相反地，當(dāng)MgO含量達(dá)到其閾值濃度后，其居里溫度開始下降。 本文也對Mg：LiTaO3晶體的紫外吸收邊和紅外吸收峰的變化機(jī)理進(jìn)行了討論。分析顯示Mg2+離

3、子優(yōu)先取代反位鉭（Ta4+Li）。當(dāng)MgO含量達(dá)到其閾值濃度后，所有的反位鉭被完全取代，Mg2+離子開始同時(shí)占據(jù)正常的鋰和鉭位，形成（Mg3-Ta+3Mg+Li）自補(bǔ)償結(jié)構(gòu)。 利用二波耦合實(shí)驗(yàn)測試了同成分Mg：LiTaO3晶體的光折變性能，如衍射效率、光折變響應(yīng)時(shí)間及擦除時(shí)間。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明隨著MgO含量的增加，晶體的衍射效率降低，光折變響應(yīng)速度變快。 利用透射光斑畸變法測試了Mg：LiTaO3晶體的抗光致散射能力。當(dāng)Mg