離子液體系中CdS納米晶的制備及應(yīng)用交變電場(chǎng)制備Ⅱ-Ⅵ族納米顆粒.pdf

1、納米材料已經(jīng)成為當(dāng)今新材料研究領(lǐng)域中最富有活力、對(duì)未來(lái)經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展有著十分重要影響的研究對(duì)象。納米顆粒通常指尺度在1-100nm之間的微小固體顆粒，具有一系列奇特的效應(yīng)，這些效應(yīng)的存在使納米顆粒呈現(xiàn)出許多奇特的物理、化學(xué)性質(zhì)，因而使納米材料具有非常廣闊的應(yīng)用前景。 納米材料的制備方法有很多種，概括起來(lái)主要有氣相、液相、固相三種，其中液相合成是目前廣泛采用的制備方法。但是大部分液相方法存在諸如污染大、成本高、需要?jiǎng)×业姆磻?yīng)條件或

2、昂貴設(shè)備等缺點(diǎn)，不利于大批量制備。為了克服這些缺點(diǎn)，我們?cè)趯?duì)環(huán)境友好的離子液體系中制備了CdS納米晶，該方法在180℃可以制備出獨(dú)特形貌的半導(dǎo)體納米材料；我們還首次提出了一種新的利用外加交變電場(chǎng)制備納米顆粒的方法，在常溫常壓下可以制備分散良好的CdE(E=S，Se，Te)納米顆粒。 首先，我們生長(zhǎng)了二維層狀結(jié)構(gòu)的[BMIM]2[Cd2(SCN)6]晶體并對(duì)其結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析，證明了填充陽(yáng)離子的尺寸對(duì)晶體結(jié)構(gòu)(維度)有明顯影響，并對(duì)[

3、BMIM]2[Cd2(SCN)6]晶體光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行表征。 其次，我們?cè)陔x子液體系中制備了整枝尺寸大約5um，側(cè)枝為200nm×500nm的枝狀CdS納米晶。XRD結(jié)果表明產(chǎn)物為六方相的CdS；并初步研究了離子液體的含量、反應(yīng)物濃度、表面活性劑的加入及反應(yīng)溫度對(duì)枝狀CdS納米晶的影響，詳細(xì)研究了枝狀CdS納米晶的生成和生長(zhǎng)過(guò)程，提出了相應(yīng)的生長(zhǎng)機(jī)理。 第三，我們用水熱法制備出了寬1um、長(zhǎng)3um的CdS納米枝、寬50nm、

4、長(zhǎng)400nm的CdSe納米棒和直徑500nm的CdTe納米顆粒，用XRD檢測(cè)其結(jié)構(gòu)組成，結(jié)果表明產(chǎn)物為六方相的CdS、六方相CdSe和立方相CdTe。通過(guò)外加交變電場(chǎng)，將上述不同大小、不同形貌的納米材料變成具有規(guī)則形貌、顆粒均勻的CdE納米顆粒，并用FESEM對(duì)其形貌進(jìn)行了表征；就外加交變電場(chǎng)的電壓和頻率對(duì)顆粒尺寸的影響進(jìn)行了研究。在以上研究的基礎(chǔ)上，初步探討了外加交變電場(chǎng)制備CdE納米顆粒的可能機(jī)理，認(rèn)為極性納米材料的偶極矩是制備納米