2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、目前國(guó)內(nèi)頻率高于100kHZ的固態(tài)感應(yīng)加熱電源基本上是采用功率MOSFET器件。由于MOSFET功率器件容量小，大功率設(shè)備需要大量的器件并聯(lián)使用，而且為了消除其固有的寄生二極管的不良反向恢復(fù)特性，必須串聯(lián)快恢復(fù)二極管，使得電路復(fù)雜，可靠性和效率降低。而IGBT器件容量遠(yuǎn)高于MOSFET，并且不存在寄生二極管問(wèn)題，適合大功率場(chǎng)合應(yīng)用，但是IGBT的開(kāi)關(guān)損耗，尤其是拖尾電流在高頻開(kāi)關(guān)工作狀態(tài)下引起的關(guān)斷損耗很大，限制了其工作頻率的提高。目前

2、IGBT的開(kāi)關(guān)頻率在零電流開(kāi)關(guān)(ZCS)狀態(tài)下可工作在100kHz。本文以高頻感應(yīng)加熱電源為研究對(duì)象，采用倍頻式的逆變電路為主電路結(jié)構(gòu)，IGBT并聯(lián)分時(shí)-脈沖密度復(fù)合的控制策略，其中包括他激啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)、頻率跟蹤電路設(shè)計(jì)、電壓電流檢測(cè)以及驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，研究了基于CPLD(Complex Programmable Logic Device)+DSP(Digital Signal Processing)的分時(shí)-脈沖密度調(diào)節(jié)的控制策略的實(shí)現(xiàn)

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