雙面金屬包覆聚合物波導(dǎo)電光調(diào)制的研究.pdf

1、在光電子領(lǐng)域，聚合物薄膜的線性電光效應(yīng)一直是人們關(guān)注的焦點(diǎn)，二次電光效應(yīng)卻沒(méi)有得到足夠的重視。聚合物二次電光系數(shù)的測(cè)量，是制備聚合物二次電光效應(yīng)器件的基礎(chǔ)。聚合物二次電光系數(shù)的測(cè)量方法主要有基于相位延遲的十字鏡起偏器法和基于材料吸收譜利用Kramers-Kronig關(guān)系計(jì)算材料二次電光系數(shù)的方法等。但這些方法并不能獲得二次電光系數(shù)張量的所有元素。本文提出了一種基于衰減全反射（ATR）技術(shù)測(cè)量聚合物材料二次電光系數(shù)的方法。與其他方法相比，

2、這種方法具有樣品制備相對(duì)簡(jiǎn)單、可以測(cè)量二次電光系數(shù)張量的所有元素以及很高的靈敏度等優(yōu)點(diǎn)。 本文還給出了一種基于自由空間耦合技術(shù)的雙面金屬包覆聚合物電光調(diào)制器。自由空間耦合方式，擴(kuò)大了波導(dǎo)有效折射率的取值范圍，可以獲得在較小入射角被激發(fā)的高階導(dǎo)模。雙面金屬包覆波導(dǎo)高階導(dǎo)模對(duì)聚合物薄波導(dǎo)層的折射率變化比低階導(dǎo)模更敏感。因而，雙面金屬包覆聚合物電光調(diào)制器的工作電壓較低、調(diào)制深度較大。由于采用了自由空間耦合技術(shù)，與傳統(tǒng)的棱鏡耦合衰減全反