CuInSe-,2-薄膜的電沉積制備及表征.pdf

1、CuInSe2是一種直接帶隙材料，光吸收系數(shù)達(dá)到105數(shù)量級(jí)，光電轉(zhuǎn)換效率高，穩(wěn)定性好，使得CuInSe2薄膜太陽(yáng)能電池成為當(dāng)今光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。電沉積方法因?yàn)榈统杀荆赡べ|(zhì)量好，可大面積、連續(xù)、低溫沉積制備等優(yōu)點(diǎn)，受到廣泛關(guān)注。 本文以氯化銅、三氯化銦、亞硒酸和絡(luò)合劑檸檬酸鈉的水溶液為電解液，用鹽酸調(diào)節(jié)其pH值，在鍍有ITO透明導(dǎo)電層的鈉鈣玻璃襯底上采用恒電位電沉積法制備出CuInSe2薄膜，后經(jīng)硒化處理改善性能。通過(guò)掃描電

2、鏡(SEM)、掃描電鏡自帶能譜儀(EDS)、X射線衍射儀(XRD)、拉曼光譜以及臺(tái)階儀等對(duì)制各出的CuLnSe2薄膜材料進(jìn)行測(cè)試表征，研究其結(jié)構(gòu)、形貌、成分和膜厚等方面的特性。 通過(guò)調(diào)整絡(luò)合物檸檬酸鈉的濃度和溶液中InCl3的濃度，可以實(shí)現(xiàn)電化學(xué)一步沉積，得到接近化學(xué)計(jì)量比的CuInSe2薄膜，但是結(jié)晶程度不夠好，有些還伴有In2Se3和Cu2Se等雜相；經(jīng)過(guò)后續(xù)的硒化退火過(guò)程，可完全消除雜相，且有很好的結(jié)晶度。經(jīng)過(guò)大量的實(shí)驗(yàn)摸