ZnSe薄膜電沉積法制備.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、ZnSe是一種具有直接能隙(2.7eV)的Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體材料，由于在半導體器件的應用中具有相當大的潛能，如可以作為太陽能電池的窗口材料，特別是以化學氣相沉積法、分子束外延法、熱壁外延法等技術(shù)制備的ZnSe，已經(jīng)被廣泛研究。近年來，以電沉積方法制備的化合物半導體多晶薄膜能夠很好的應用于太陽能電池中。
　　在本論文中，利用電解質(zhì)(SeO2=0.001～0.008M和ZnSO4=0.1～0.8M)的電化學還原作用，在酸性溶液中(p

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