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文檔簡介
1、鈷鐵氧體(CoFe2O4)薄膜具有較高的矯頑力、磁化強度、磁晶各向異性、化學穩(wěn)定性和耐磨損性能,可作為高密度磁記錄介質(zhì),是目前研究較多的一類垂直磁記錄材料。
本論文系統(tǒng)地研究了電化學沉積CoFe2工藝以及采用電化學沉積氧化法制備的CoFe2O4/Cu/Si(100)薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和磁性能并與射頻磁控濺射制備的CoFe2O4/Cu/Si(100)薄膜的微觀結(jié)構(gòu)及磁性能進行了比較。
在電化學沉積CoFe2工藝的研究中,詳
2、細研究了主鹽濃度、糖精濃度、PH值、電流密度、鍍液溫度對鍍層成分和沉積速率的影響規(guī)律。得到了電鍍CoFe2的最佳工藝條件為:CoSO4·7H2O:7.0g/L、FeSO4·7H2O:13.0g/L、糖精:0.8g/L、PH值:4.0、溫度:50℃、電流密度:10mA/cm2。在500℃條件下對所制備的鈷鐵合金進行氧化處理,成功得到了鈷鐵氧體薄膜,經(jīng)過常規(guī)退火后,制備的鈷鐵氧體薄膜具有立方尖晶石結(jié)構(gòu)。薄膜磁性能具有垂直各向異性,其中在70
3、0℃退火樣品具有最大矯頑力,其垂直于膜面方向矯頑力和平行于膜面方向矯頑力分別為171.6KAm-1和74.8KAm-1,薄膜垂直于膜面方向飽和磁化強度、剩余磁化強度和矩形度分別為310.2KAm-1、218.3KAm-1和0.62,而900℃下退火薄膜具有最大垂直方向矩形度為0.78。
采用磁控濺射技術(shù)制備了CoFe2O4/Cu/Si薄膜。經(jīng)過常規(guī)退火處理后的CoFe2O4/Cu/Si(100)薄膜具有立方尖晶石結(jié)構(gòu),膜中存在
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