聚酰亞胺(PI)絕緣薄膜材料的低溫等離子體表面改性研究.pdf

1、隨著電氣與電子工業(yè)向高電壓、集成化的發(fā)展，對絕緣材料介電性能的要求越來越高，現(xiàn)有的絕緣材料無法滿足需要，必需通過對現(xiàn)有材料改性或制備新型材料來滿足高介電性能的要求。低溫等離子體以其優(yōu)異的化學活性，對現(xiàn)有絕緣材料進行簡單表面處理，就可以明顯提高材料的擊穿場強。國內(nèi)外的學者也對此做了很多的工作，但對表面處理提高擊穿場強的機理和對等離子體參數(shù)的要求沒有得出同一的答復。為了弄清這個機理，本文選用綜合電氣性能上佳的聚酰亞胺作為絕緣材料，用二步聚合

2、法制備出均勻的聚酰亞胺薄膜，然后用氧等離子體對其進行表面處理，結(jié)果表明：等離子體處理后，薄膜的擊穿場強有所提高。主要內(nèi)容包括：
　　 ⑴闡述了低溫等離子體，對常用的等離子體源和等離子體診斷進行了介紹；對低溫等離子體在絕緣材料制備和改性中的應用進行概括，并給出論文所研究的主要內(nèi)容。
　　 ⑵對現(xiàn)有的幾種等離子體源進行比較，得出適用于絕緣材料表面處理的等離子體；簡單介紹了表面波的形成過程，給出狹縫天線和整個表面波裝置示意圖。

3、
　　 ⑶設計探針電路來診斷射頻等離子體，分析測量結(jié)果，得出探針診斷射頻等離子體存在的困難，并給出解決這些困難的方法；相比探針診斷，微波診斷不受射頻信號的干擾，可以用于射頻等離子體的診斷。
　　 ⑷利用聚合法制備出均勻的聚酰亞胺薄膜，用氧等離子體對薄膜進行表面處理；測量處理后薄膜的擊穿場強，得出處理后擊穿場強變化量與時間的關(guān)系，發(fā)現(xiàn)在處理時間為30s時，擊穿場強上升了12％。
　　 ⑸介紹了電介質(zhì)的擊穿機理，以此