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文檔簡介
1、本文對采用磁控濺射制備β-FeSi2薄膜的工藝進行了詳細研究，制備了β-FeSi2薄膜，分析了β-FeSi2薄膜的生長機理。 利用XRD、EDAX對樣品結(jié)構(gòu)進行了表征，并與采用離子束合成(IBS)方法制備的樣品進行了比較，同時分析了退火條件對兩種成膜質(zhì)量的影響。結(jié)果表明，在同樣的退火溫度下，磁控濺射方法成膜的質(zhì)量要稍遜于用IBS方法制備的薄膜。合適的濺射時間、濺射功率和提高退火溫度是改善磁控濺射成膜的關(guān)鍵。 采用橢圓偏振
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