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1、β-FeSi2具有很高的光吸收系數(shù)(光子能量為1.0eV時(shí),光吸收系數(shù)大于105cm-1),被認(rèn)為是一種新穎的光伏材料,理論上光電轉(zhuǎn)化效率可以達(dá)到16[%]-23[%]。但是關(guān)于β-FeSi2材料的研究還很少,實(shí)驗(yàn)制備得到的β-FeSi2薄膜質(zhì)量不高,目前最高的轉(zhuǎn)化效率僅為3.7[%]。以下為本論文具體研究?jī)?nèi)容:
利用室溫對(duì)靶直流磁控濺射方法沉積Fe-Si薄膜后,在Ar氣氛圍中800℃退火2小時(shí)制備β-FeSi2薄膜。研究
2、了濺射工藝參數(shù),如濺射功率、工作氣壓、Ar氣流量、沉積時(shí)間等對(duì)制備β-FeSi2薄膜的影響,對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化,發(fā)現(xiàn)在濺射功率為80W、工作氣壓為1.3Pa、Ar氣流量為35sccm時(shí)濺射沉積Fe-Si薄膜,不僅可以得到單一相的β-FeSi2,而且薄膜結(jié)晶質(zhì)量較好。
利用室溫對(duì)靶直流磁控濺射方法沉積Fe-Si薄膜后,對(duì)后續(xù)熱處理?xiàng)l件進(jìn)行了系統(tǒng)的研究。分析了退火溫度以及退火時(shí)間對(duì)制備β-FeSi2薄膜的影響,得出了優(yōu)化的熱
3、處理?xiàng)l件:
在Ar氣保護(hù)下800℃退火2小時(shí)。另外,還采用了電子束掃描的方式對(duì)磁控濺射沉積Fe-Si薄膜進(jìn)行后續(xù)處理,直接形成了半導(dǎo)體相β-FeSi2。分析表明,采用電子束掃描對(duì)磁控濺射沉積的Fe-Si薄膜進(jìn)行后續(xù)處理是非常有效的,薄膜的結(jié)晶質(zhì)量隨電子束掃描時(shí)間的延長(zhǎng)而提高,但β-FeSi2/Si界面特性隨電子束掃描時(shí)間的延長(zhǎng)而降低。束流大小為4mA、掃描時(shí)間為45min為優(yōu)化的電子束掃描條件。
通過(guò)調(diào)節(jié)Fe
4、靶和Si靶的相對(duì)面積,實(shí)現(xiàn)對(duì)沉積薄膜中Fe/Si原子比的精確控制,來(lái)研究Fe/Si原子比對(duì)于β-FeSi2薄膜結(jié)構(gòu)特性及電學(xué)特性的影響。隨著沉積薄膜中Fe/Si原子比的降低,β-FeSi2薄膜的導(dǎo)電類(lèi)型會(huì)由p型轉(zhuǎn)變?yōu)閚型,表明Fe/Si原子比決定了未摻雜的β-FeSi2薄膜的導(dǎo)電類(lèi)型。Fe/Si原子比接近1/2時(shí),符合β-FeSi2的化學(xué)計(jì)量比,可以得到較低的載流子濃度和較高的霍爾遷移率。此外,還研究了不同的襯底材料,對(duì)于生長(zhǎng)β-FeS
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