CMOS射頻線性功率放大器研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著無線通信的發(fā)展,越來越多的通信標(biāo)準(zhǔn)都采用幅度/相位相結(jié)合的調(diào)制方式以提高頻譜利用率,這樣對處于發(fā)射機最后一級的功率放大器的線性度提出了更為嚴(yán)格的要求。功率放大器是通信系統(tǒng)中非線性最強的器件之一,其非線性失真將導(dǎo)致頻譜擴展而干擾鄰道信號并惡化誤碼率。線性化技術(shù)是克服功率放大器非線性影響的有效手段。另一方面,從集成電路的角度來看,CMOS工藝是當(dāng)前集成電路制造的主流工藝,以CMOS工藝實現(xiàn)單片集成的功率放大器會降低成本,也為將來實現(xiàn)數(shù)字

2、基帶單元和射頻單元的系統(tǒng)單片集成奠定基礎(chǔ)。因此,對CMOS線性功率放大器的研究具有重要價值。 本論文重點研究了提高功率放大器線性度的方法并設(shè)計了可應(yīng)用于2.4GHz-2.5GHz ISM頻段短程無線通信的低壓線性CMOS功率放大器。論文提出了一種新穎的“自適應(yīng)”偏置,并將其應(yīng)用于具有兩級結(jié)構(gòu)的功率放大器的輸出級,動態(tài)地調(diào)節(jié)輸出級的偏置電壓,從電路層面改進(jìn)了功率放大器的線性度。這種偏置自適應(yīng)技術(shù)在一定程度上改善了功率放大器的性能:

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