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1、Zr/Ti在95/5附近的鋯鈦酸鉛陶瓷(PZT)具有高的熱釋電系數(shù),低的介本工作根據(jù)“相近離子半徑,不同化合價;相同化合價,不同離子半徑”的原則選擇了ZnO、Cr<,2>O<,3>、Ga<,2>O<,3>、SnO<,2>對PMS-PZT體系摻雜,In<,2>O<,3>、Ga<,2>O<,3>、 CO<,2>O<,3>、Cr<,2>O<,3>對PFN-PZT體系進行摻雜。研究了摻雜對其介電性能、電阻、壓電性能、居里溫度等物理性能的影響。并
2、且結(jié)合IR、UV、SEM對材料的微觀性能進行表征,進一步探討材料的宏觀物理性能與微觀結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系。 研究發(fā)現(xiàn),對于PMS-PZT來講,受主摻雜使得材料的介電常數(shù)、介電損耗和電阻率減小,且隨摻雜陽離子化合價的升高,材料的介電常數(shù)和介電損耗不斷減?。粨诫s0.3wt%SnO<,2>在1300℃燒結(jié)的材料的性能最佳,極化后測得其介電常數(shù)和損耗分別為190和0.2%,電阻率為1.7×10<'11>Ω cm,熱釋電系數(shù)為3.34E<'-8
3、>Ccm<'-2>K<'-1>,并且在升溫和降溫過程中鐵電.順屯相交不存在熱滯現(xiàn)象。隨SnO<,2>摻雜含量的增加,介電常數(shù)和介電損耗都是先降低后增加,電阻率呈現(xiàn)不斷下降的規(guī)律,綜合考慮,SnO<,2>摻雜量為0.3wt%時材料的電學(xué)性能最為理想。對于 PFN-PZT來講,摻雜Cr<,2>O<,3>0.3wt%,1320℃燒結(jié)的樣品,電學(xué)性能最好,介電常數(shù)、損耗和電阻分別是373、1.6%和1.7×10<'11>Ω cm。研究結(jié)果還發(fā)現(xiàn)
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