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1、近年來,微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)不斷發(fā)展,其中微致動(dòng)器、微位移器在汽車、航天、通訊等領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。傳統(tǒng)的壓電陶瓷材料鋯鈦酸鉛(PZT),因其較小的應(yīng)變量(0.1%左右)而使得相關(guān)器件的生產(chǎn)和應(yīng)用受到限制;另一方面,鋯錫鈦酸鉛(PZST)基反鐵電陶瓷材料具有較大的應(yīng)變量(可達(dá)0.85%),被看作是用來制備微位移器、微致動(dòng)器的重要選材之一。為此,本文基于提高PZST基反鐵電陶瓷在電場(chǎng)作用下誘導(dǎo)產(chǎn)生的應(yīng)變量的目的,從反鐵電陶
2、瓷的配方選擇、燒結(jié)工藝及粉體制備等幾個(gè)方面對(duì)PZST基反鐵電陶瓷的相變性能與電致應(yīng)變性能進(jìn)行了系統(tǒng)研究,并且結(jié)合XRD與SEM顯微分析,全面詳細(xì)地研究場(chǎng)誘應(yīng)變性能的變化,為后期進(jìn)一步增大PZST基反鐵電陶瓷的電致應(yīng)變量提供了參考。
Ba摻雜的PZST基反鐵電陶瓷具有更低的相變電場(chǎng)和電場(chǎng)回滯,這是實(shí)現(xiàn)數(shù)字微致動(dòng)器的必要條件,因此,研究了Ba改性的Pb0.97-xBaxLa0.02(Zr0.65Sn0.29Ti0.06)O3陶瓷的
3、相變與電致應(yīng)變性能。另一方面,當(dāng)Ba含量為較佳的摻雜含量時(shí),研究B位Zr、Ti含量的變化對(duì)陶瓷相變與應(yīng)變性能的影響,確定較佳的組分配比。
基于解決普通燒結(jié)下較多的氧空位而引起陶瓷性能下降問題,將陶瓷試樣置于氧化氣氛下進(jìn)行退火。研究了Ba摻雜的陶瓷經(jīng)過氧化退火后的微觀結(jié)構(gòu)、鐵電性能及應(yīng)變性能。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)由于氧氣對(duì)鉛空位的形成有促進(jìn)作用,而Ba含量的增加對(duì)鉛空位的形成有抑制作用,因此,當(dāng)Ba含量為8.5mol%時(shí),陶瓷的相變性能與應(yīng)
4、變性能達(dá)到最佳。雖然Ba摻雜降低了相變電場(chǎng)及電場(chǎng)回滯,但是這也減弱了反鐵電(AFE)相的穩(wěn)定性,削弱應(yīng)變性能,在此基礎(chǔ)上選擇不摻雜Ba的PLZST陶瓷作為后續(xù)的研究對(duì)象?;诮鉀Q普通燒結(jié)過程中陶瓷的氣孔率較多、致密度較低的問題,將陶瓷進(jìn)行熱壓燒結(jié),實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)熱壓后陶瓷應(yīng)變量由0.25%增大至0.45%。
針對(duì)PLZST陶瓷采用固相反應(yīng)法制備時(shí),預(yù)燒的陶瓷粉體尺寸較大,均勻性較差的問題,采用凝膠注模方法制備均勻細(xì)小的陶瓷粉體。實(shí)驗(yàn)
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