鉬礬氧化物低維納米材料的水熱制備及其結構和性能研究.pdf

1、本論文旨在探索過渡金屬氧化物低維納米材料的水熱合成。在該論文中，幾種過渡金屬氧化物納米材料被合成出來，它們包括： MoO<,3>納米帶，H<,x>MoO<,3>納米帶，V<,0.13>Mo<,0.87>O<,2.935>納米線，V<,2>O<,5>·nH<,2>O納米薄片以及V<,2>O<,5>納米線。合成這些納米材料的方法是水熱聚合酸性的鉬酸鹽或釩酸鹽溶液。 1．金屬Mo粉和H<,2>O<,2>為原料，首先反應得到過氧鉬酸溶

2、液，然后在140℃下水熱反應12小時直接得到MoO<,3>納米帶；如果在水熱體系中加入了少量乙醇，可以一步合成得到藍色的H<,x>MoO<,3>納米帶。HxMoO<,3>納米帶有著與MoO<,3>納米帶幾乎一樣的晶體結構及形貌特征，但是它們的PL譜不一樣。 主要實驗結果發(fā)表在Chem．Lett．雜志上，審稿人的評價是“This is a highquality piece of work that describes the s

3、elective preparation of white MoO<,3> and blueHxM003 nanobelts．Although the value of x in the H<,x>MoO<,3> nanobelts_is unknown，XPS and photoluminescence spectra clearly show the big difference in the electronicstructure

4、s between white and blue nanobelts．”。 2．采用N<,2>H<,4>·H<,2>O--HCl為還原體系，控制還原MoO<,3>納米帶合成得到藍色和深藍色的H<,x>MoO<,3>納米帶。借助XRD，Raman，XPS，HRTEM技術手段，詳細比較了三種納米帶的晶體結構和電子結構，指出隨著氫含量增多，H<,x>MoO<,3>納米帶晶胞參數(shù)有輕微膨脹并且結構缺陷增加，結構層中存在的離域電子濃度也

5、升高。電學測量表明深藍色氫鉬青銅H<,x>MoO<,3>納米帶的電阻只有白色MoO<,3>納米帶電阻的五萬分之一：電阻一溫度測量表明，H<,x>MoO<,3>納米帶電導行為符合摻雜半導體，遵從指數(shù)變化規(guī)律，并且計算得到電子熱激發(fā)活化能0.19 eV。 3．以金屬Mo，H<,2>O<,2>和NH<,4>VO<,3>為初始原料，首先反應得到酸性的過氧鉬酸和過氧釩酸混合溶液，然后在220℃下水熱反應48小時合成得到三元氧化物V<,0

6、.13>Mo<,0.87>O<,2.935>超長納米線。另外，通過改變Mo和NH<,4>VO<,3>摩爾比例，控制合成出了V<,0.13>Mo<,0.87>O<,2.935>微米棱住，微米棒以及V<,2>O<,5>·xH<,2>O納米帶。在電子束作用下，V<,0.13>Mo<,0.87>O<,2.935>單晶納米線容易變成非晶。PL測試表明V<,0.13>Mo<,0.87>O<,2.935>納米線有著強藍色熒光發(fā)射，這可能與其結構中存在

7、的本征氧空位有關系。主要實驗結果發(fā)表在J．Phys.Chem．C雜志上，三位審稿人給予該論文很積極評價，其中一人的評價是“This work seems to be of high significance andoriginality and of exceptional interest to materials science．”。 4．以V<,2>O<,5>，H<,2>O<,2>和HCl液為反應試劑，首先獲得酸化的過氧

8、釩酸溶液，然后在200℃下水熱處理12小時合成得到V<,2>O<,5>·nH<,2>O結晶納米薄片?？刂茖嶒灡砻骱铣傻玫降腣<,2>O<,5>·nH<,2>O結晶納米薄片是V<,2>O<,5>·nH<,2>O納米帶與V<,2>O<,5>納米線的中間產(chǎn)物。此外，還詳細研究了V<,2>O<,5>·nH<,2>O納米薄片在空氣中加熱的脫水過程以及結構演變。 主要實驗結果發(fā)表在Chem．Lett．雜志上，審稿人的評價是“this stu