磷化鍺鋅晶體的生長研究及理論計算.pdf

1、黃銅礦類半導體晶體材料具有兩個突出的優(yōu)點：非線性光學系數(shù)大和中、遠紅外區(qū)透光波段寬，是目前最有吸引力的，具有重要應用背景的紅外非線性光學材料。磷化鍺鋅晶體是其中性能的最優(yōu)者。本論文圍繞這種晶體進行了研究和討論。
　　對磷化鍺鋅晶體(ZnGeP2)進行了生長研究。采用改進的單溫區(qū)法合成了ZnGeP2多晶料，經(jīng)過XRD和TG表征，顯示其質(zhì)量達到標準樣品的要求，可以作為晶體生長的原料；采用可視水平小角度傾斜溫梯冷凝法生長了ZnGeP2晶

2、體，通過觀察其截斷面，顯示其品質(zhì)符合單晶的標準。
　　對理想ZnGeP2進行了理論計算?；诿芏确汉碚摚捎玫谝恍栽砥矫娌ㄚI勢法，對理想ZnGeP2晶體的結構進行了優(yōu)化，從理論上給出了該晶體的晶格參數(shù)和單點能，為該晶體的研究提供了理論依據(jù)。計算了理想ZnGeP2晶體的能帶結構、態(tài)密度和吸收光譜，該晶體是具有贗直接能隙的，吸收光譜的成因與電子從價帶到導帶的躍遷有關，而峰的位置則與電子態(tài)密度分布有直接關系。
　　對缺陷ZnG