高介X8R電容器介質(zhì)材料的研究.pdf

1、多層陶瓷電容器（MLCC）是重要的電子元件，幾乎可以應(yīng)用于所有的電子工業(yè)中。鈦酸鋇（BaTiO3）是應(yīng)用最廣泛的鈣鈦礦鐵電體，這在于其具有很高的介電常數(shù)和長壽命的絕緣特性，因此，鈦酸鋇陶瓷材料一直是MLCC研究的焦點所在。
　　本論文以BaTiO3基MLCC陶瓷材料的應(yīng)用為背景，對BaTiO3陶瓷進(jìn)行摻雜改性研究，并對其改性機(jī)理及微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析，制備了一系列滿足X8R特性的配方，在此基礎(chǔ)上，通過對已有配方的優(yōu)化，最終在國內(nèi)某生

2、產(chǎn)線上成功制備出滿足X8R特性的MLCC。
　　論文研究了氧化物對BaTiO3基陶瓷體系的影響。分析認(rèn)為，Nb2O5摻雜時，隨著Nb2O5含量的增加，富Nb的非鐵電相Ba(Tix Nb1-x)O3的增多是導(dǎo)致陶瓷體系介電常數(shù)下降的原因；研究了兩種稀土氧化物 Gd2O3和Sm2O3對BaTiO3-Nb2O5-ZnO體系介電性能的影響規(guī)律，鈦酸鋇陶瓷室溫介電常數(shù)的變化可以用稀土離子在鈣鈦礦中的取代位置不同來解釋，在此基礎(chǔ)上，研究發(fā)現(xiàn)用

3、Gd2O3和Sm2O3進(jìn)行復(fù)合摻雜可制備出性能優(yōu)良的X8R MLCC瓷料，Gd2O3和Sm2O3的實驗最佳值為0.7wt％和0.2wt%。
　　研究利用B位復(fù)合取代法制備高介電常數(shù)BaTiO3-NiNb2O6-MnNb2O6體系陶瓷材料，對NiNb2O6和MnNb2O6摻雜時體系的介電性能和微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析，通過加入CBS助熔劑降低燒結(jié)溫度，最終制備出滿足X8R特性的高介電容器介質(zhì)材料，所得體系的介電性能如下：室溫介電常數(shù)大于2

4、800，損耗小于1.0%，絕緣強(qiáng)度大于7×1010Ω，-55℃至150℃的容溫變化率小于±12%。
　　微波介質(zhì)陶瓷鈮酸鉍（BiNbO4）和鈦酸鎂鋅（ZMT）具有低損耗，低溫度系數(shù)等優(yōu)點，用其改性鈦酸鋇陶瓷可以獲得較好的效果。研究發(fā)現(xiàn)，鈦酸鋇陶瓷體系的室溫介電常數(shù)隨BiNbO4摻雜量的增加而降小，適量的BiNbO4可以改善鈦酸鋇陶瓷的高溫穩(wěn)定性；研究還發(fā)現(xiàn)了新型 BaTiO3-Nb2O5-ZMT體系良好的介電性能，并對此進(jìn)行了微觀