多臂CdS納米棒制備和表征及CdS-PVK復(fù)合體系光電特性研究.pdf

1、對于聚合物與有新奇結(jié)構(gòu)的多臂納米棒形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)薄膜，不僅增大了電荷分離的界面，而且具有優(yōu)異的一維電荷輸運(yùn)性質(zhì)，且解決了普通的一維納米棒在構(gòu)成薄膜時大部分的納米棒是平躺在薄膜的內(nèi)部，對縱向的電極間的電荷傳輸并無貢獻(xiàn)的缺點(diǎn)，因此對提高復(fù)合結(jié)構(gòu)界面電荷分離、傳輸和收集有一定的意義，在光折變應(yīng)用、發(fā)光二極管和光伏電池等方面具有很好的應(yīng)用前景。 CdS是一種重要的半導(dǎo)體光電材料，我們首先通過Cd(CH<,3>COO)<,2>·2H<,2

2、>O與Na<,2>S·9H<,2>O，以雙齒絡(luò)合劑乙二胺輔助水溶液通過溶劑熱法合成了高產(chǎn)率CdS納米棒。XRD結(jié)果表明產(chǎn)物為六方相的CdS，TEM顯示出樣品為三齒狀CdS納米棒，直徑約為10～15 nm，臂長為100 nm左右。通過熒光光譜PL和表面光電壓SPS對其光學(xué)性質(zhì)和光電特性做了詳細(xì)研究。這種特殊的納米棒結(jié)構(gòu)可提供更多的電子傳輸通道，并有效的增加了與電極間的電荷傳輸能力，因此更有利于電子-空穴對的分離和傳輸。 我們利用旋

3、轉(zhuǎn)涂膜在氧化銦錫(ITO)導(dǎo)電玻璃基底制備了不同含量CdS與聚乙烯基咔唑(PVK)復(fù)合結(jié)構(gòu)薄膜，利用熒光光譜結(jié)合表面光電壓譜技術(shù)對于復(fù)合體系光電特性進(jìn)行了研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，復(fù)合薄膜熒光強(qiáng)度隨CdS組分的增加而逐漸降低，而表面光電壓譜圖表明相應(yīng)的光電壓信號逐漸增強(qiáng)，我們認(rèn)為這種現(xiàn)象主要是由于CdS與PVK之間存在匹配能級，導(dǎo)致復(fù)合后兩者發(fā)生了電荷轉(zhuǎn)移，使電子-空穴對有效分離而降低了復(fù)合幾率，增強(qiáng)了PVK的HOMO能級中的空穴和CdS中的電子