退火條件對(duì)氧化釩薄膜光電特性影響的研究.pdf

1、VI琴譬琶署j，?！?|：四j衙，、天j學(xué)‘_，：‘。一，碩一謄I學(xué)’j傅二論，j文題目粵肇掣咚避卻選粵鱟函嘩衄。j一_‘‘夕：07一一疊一’作t：：者：趔主壘完成日期2壘鯉生二蒸且一2二且專(zhuān)業(yè)一一蕉藿盎塹塞，、J、’?！?。，研究。方詢(xún)。一蔓照鹽牡盞登籃一一‘：●，一授予擎位日期，二至鯉2生目目四川大學(xué)碩士學(xué)位論文出熱致相變特征。(41無(wú)論是在低真空下，還是在高真空下，經(jīng)過(guò)退火，薄膜中釩離子的價(jià)態(tài)降低，且隨退火溫度升高，會(huì)降得更低。(

2、51高真空環(huán)境對(duì)氧化釩薄膜的還原性不如低真空環(huán)境，但是在高真空下退火得到薄膜的結(jié)晶狀況比在低真空下退火的好，這一結(jié)果目前尚未見(jiàn)報(bào)道。(6)對(duì)于V02(B)型薄膜，在低真空下退火出現(xiàn)的范圍是400。C480℃，而在高真空下退火出現(xiàn)的范圍只有400℃~440℃。在退火溫度為400。C440℃的范圍內(nèi)，在高、低真空下退火，薄膜的室溫電阻和電阻溫度系數(shù)絕對(duì)值隨退火溫度升高而減??；但是低真空下退火薄膜的室溫電阻減小得更快。且當(dāng)退火溫度相同時(shí)，低真