PZT基壓電陶瓷的制備工藝和性能的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文研究了一種新的制備PZT基固溶體粉料和陶瓷的方法,這個方法稱為濕一干法.通過聚合物中間體的方法合成了PZT基固溶體的B位先驅(qū)體,該先驅(qū)體是具有ZrTiO<,4>結(jié)構(gòu)的Zr<,x>Ti<,1-x>O<,2>單相氧化物固溶體,其中x值(x=0.50~0.56)超出了傳統(tǒng)法可以合成的單相固溶體的組成范圍.該先驅(qū)體與氧化鉛通過固相反應(yīng)合成PZT基固溶體.固相反應(yīng)溫度可顯著降低至725℃.PZT粉料顆粒的粒度達到130納米.Nb離子的摻入可以

2、將PZT陶瓷的燒結(jié)溫度降低至1130℃,并可以有效的提高PZT陶瓷的介電性能的穩(wěn)定性.用濕一干法制備的PZT壓電陶瓷具有良好的介電性能.通過干一干法制備了組成為Pb[(Zr<,0.5>Ti<,0.5>)<,0.8-x>(Mg<,1/3>Nb<,2/3>)<,0.2+x>]<,0.98>Nb<,0.02>O<,3.01>(PZTMN,x=-0.075,-0.05,-0.025,0,0.025,0.05,0.075)的三元系鈣鈦礦陶瓷.

3、 PZTMN的B位先驅(qū)體([(Zr<,0.5>Ti<,0.5>)<,0.8-x>(Mg<,1/3>Nb<,2/3>)<,0.2+x>]<,0.98>Nb<,0.02>O<,2.01>,ZTMN)是通過兩步固相反應(yīng)的方法合成的,第一步的合成溫度是1300℃,第二步的合成溫度不高于1360℃.Mg<'2+>和Nb<'5+>的加入可以促進ZrTiO<,4>結(jié)構(gòu)的ZTMN固溶體的形成.單相的PZTMN鈣鈦礦粉料可以在780℃下合成.在126

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