超低噪聲LDO線性穩(wěn)壓器的研究與實(shí)現(xiàn).pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著電源管理IC技術(shù)的不斷發(fā)展，市場競爭日趨激烈，高性能低成本的電源管理解決方案越來越受青睞，低漏失線性穩(wěn)壓器(LDO)以其超低噪聲、高PSRR、微功耗和極低的成本在電源管理市場上占有重要的一席。
　　 本論文的設(shè)計(jì)工作來源于西安電子科技大學(xué)CAD所的科研項(xiàng)目“數(shù)模混合系列集成電路關(guān)鍵技術(shù)理論研究及設(shè)計(jì)”。文中詳細(xì)介紹了超低噪聲CMOS線性穩(wěn)壓器芯片XD1209的設(shè)計(jì)過程，包括芯片指標(biāo)的制定、特性的分析計(jì)算、系統(tǒng)功能的電路設(shè)計(jì)、

2、仿真驗(yàn)證、版圖實(shí)現(xiàn)、封裝及測試驗(yàn)證。本文的創(chuàng)新之處在于改進(jìn)了傳統(tǒng)的LDO電路結(jié)構(gòu)，同時(shí)加入濾波電路實(shí)現(xiàn)了LDO線性穩(wěn)壓器的超低噪聲，并通過快速充電模塊縮短了芯片的啟動(dòng)時(shí)間。同時(shí)通過動(dòng)態(tài)的Miller補(bǔ)償有效的提高了穩(wěn)壓器的環(huán)路穩(wěn)定性。
　　 XD1209采用0.5μm的標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝。利用Cadence、Hspice等EDA軟件，對其在不同模型、電壓、溫度組合下進(jìn)行了前仿真和后仿真驗(yàn)證。仿真結(jié)果表明：輸出電壓誤差小于±2％，典

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