近等原子比TiNi合金薄膜的制備與馬氏體相變機理的研究.pdf

1、本論文主要研究近等原子比TiNi合金薄膜的制備工藝以及TiNi合金薄膜在動態(tài)加熱、冷卻過程所發(fā)生的相變,揭示了TiNi合金薄膜從奧氏體到馬氏體的演變過程。論文主要通過自制TiNi合金靶材,并運用磁控濺射法來制備TiNi合金薄膜,而且對薄膜進行晶化處理,并在X射線衍射、透射電子顯微鏡、掃描電子顯微鏡等現(xiàn)代分析手段觀察TiNi合金的組織及表面形貌,最后再通過動態(tài)加熱、冷卻來觀察TiNi合金薄膜中的相變過程,并得出以下結(jié)論:1.用磁控濺射法制

2、備TiNi合金薄膜時,其主要影響因素依次為濺射電流(功率)、工作氣壓和靶基距。此時的薄膜為非晶薄膜,但有時也有部分被晶化。2.經(jīng)過實驗,磁控濺射法制備TiNi合金薄膜的最佳參數(shù)為:濺射電流為0.7A,工作氣壓為0.6Pa,靶基距為55mm。3.在對TiNi合金薄膜進行晶化處理時,其溫度應(yīng)在600℃左右,退火處理時間為1小時,此時薄膜完全被晶化,但同時也有TiNi3等析出相產(chǎn)生。4.通過對TiNi合金薄膜進行連續(xù)加熱冷卻時發(fā)現(xiàn),室溫狀態(tài)T

3、iNi合金薄膜主要以R相及少量的馬氏體相存在,在高溫狀態(tài)主要以奧氏體相存在。5.當TiNi合金薄膜加熱到70℃時,TiNi合金薄膜以奧氏體形式存在;當冷卻至室溫甚至更低的溫度時,基本上是以R相和馬氏體相存在。6.TiNi合金薄膜的相變不是由馬氏體直接轉(zhuǎn)變?yōu)閵W氏體的,與TiNi合金的相變相似,其加熱的相變順序為:馬氏體相→R相→奧氏體相;冷卻的相變順序為:奧氏體相→R相→馬氏體相。7.經(jīng)過對電子衍射花樣的標定,母相B2相與R相的取向關(guān)系為