GaAs基多量子阱和自組織量子點材料的MBE優(yōu)化生長及其特性的研究.pdf

1、本論文“GaAs基多量子阱和自組織量子點材料的MBE優(yōu)化生長及其特性的研究”的內容包括：MBE系統(tǒng)原理與外延材料的表征方法、多量子阱材料的生長與結構特性研究、AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱材料的光譜和非線性光學性質研究、In(Al)As量子點材料的自組織生長與拉曼散射研究共4個主要部分。本論文主要研究成果如下： 1.在固態(tài)源MBE生長AlGaAs/GaAs和InP/InP高遷移率外延材料的研究中，解決了含磷材料生長的兼容

2、性問題。采取合理的工藝方法和生長條件的改進，有效改善了磷化物生長后系統(tǒng)的真空度，并獲得了極高遷移率的高質量二維電子氣材料，成功實現(xiàn)了一個固體磷源MBE系統(tǒng)中高質量含磷和無磷材料的交替生長。 2.利用傳輸矩陣理論計算了不同周期AlAs/GaAsDBR結構的反射率譜和光強分布。在理論計算的指導下，通過MBE外延生長的工藝優(yōu)化，獲得了最大反射率達99.5％，中心波長和帶寬與理論值非常接近的高質量AlAs/GaAsDBR材料。

3、3.通過MBE交替生長不同半導體超薄周期結構的控制技術，獲得了晶格完整性好、周期厚度均勻、界面質量良好的AlGaAs/GaAs多量子阱超晶格材料。利用反射式Z-scan方法在帶隙之上的共振條件下研究了不同多量子阱樣品的非線性光學效應，并對導致多量子阱材料非線性吸收的可能物理機制進行了討論。 4.在InAs自組織量子點材料的低溫拉曼散射研究中，觀察到InAsQD的聲子峰位置隨淀積厚度的增加發(fā)生紅移現(xiàn)象，這與以往報道的實驗現(xiàn)象具有差