透明導(dǎo)電薄膜CdIn-,2-O-,4-的研究和高速光電探測(cè)器頻響的測(cè)量.pdf

1、本文包含兩部分內(nèi)容： (一)透明導(dǎo)電薄膜CdIn2O4薄膜光電特性的研究采用射頻反應(yīng)濺射Cd-In靶在玻璃襯底上制備CdIn2O4(CIO)薄膜。理論上闡述了CIO薄膜的導(dǎo)電機(jī)理，分析了熱處理前后氧空位、摻雜點(diǎn)缺陷和富氧電子陷阱在影響膜的載流子濃度和電子散射中所起的重要作用。同時(shí)，分析了高濃度的點(diǎn)缺陷對(duì)CIO氧化物薄膜的能帶結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的重要影響，這些影響主要體現(xiàn)在帶尾的形成，Burstein-Moss(B-M)漂移和帶隙收縮。

2、 為了制備低電阻率、高透射率的大面積CIO薄膜，分別研究了濺射氧濃度和沉積襯底溫度對(duì)CIO薄膜光電特性的影響。通過對(duì)薄膜的霍爾效應(yīng)，Seebeck效應(yīng)的測(cè)量，得到了薄膜的電學(xué)參數(shù)。通過對(duì)CIO薄膜的光譜進(jìn)行研究，得到了薄膜在紫外、可見和紅外區(qū)域的光學(xué)特性。大量的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分析表明，CIO薄膜的帶隙收縮效應(yīng)對(duì)其光學(xué)帶隙影響很大。為了獲得準(zhǔn)確的薄膜光學(xué)帶隙，本文使用擬合法代替外推法確定薄膜的光學(xué)帶隙。實(shí)驗(yàn)表明，當(dāng)襯底溫度T=280℃，氧分

3、壓為8％左右時(shí)，制備的CIO氧化物薄膜擁有最佳導(dǎo)電性和透光性。 (二)高速光電探測(cè)器超寬帶頻率響應(yīng)測(cè)量技術(shù)的研究利用光的相干特性測(cè)量高速光電探測(cè)器(諸如GaAs、InGaAs等半導(dǎo)體光電二極管)超寬帶頻率響應(yīng)(光外差寬帶頻率響應(yīng)測(cè)量技術(shù))，分別使用了雙激光器技術(shù)、單激光器技術(shù)和自發(fā)輻射技術(shù)測(cè)量高速光電探測(cè)器響應(yīng)帶寬。 在論文中，重點(diǎn)研究了單激光器測(cè)量頻響的技術(shù)，對(duì)實(shí)驗(yàn)封裝的三段可調(diào)分布布拉格反射(DBR)激光器進(jìn)行了深入