表面修飾的CdSe半導體納米晶的制備及表征.pdf

1、半導體納米晶具有明顯不同于體相半導體材料的性質(zhì)，且可以通過適當?shù)臈l件控制其大小、表面狀態(tài)以及組成，從而控制其發(fā)光等性能。CdSe是一種典型的化合物半導體材料，其納米粒子表現(xiàn)出很好的光致發(fā)光性能。CdSe納米晶發(fā)光顏色可以通過調(diào)節(jié)其粒徑大小而得到控制。納米粒子有相對大的表面體積比，在微粒的表面/界面會存在大量的缺陷、空位、懸掛鍵等構成的表面態(tài)，這嚴重影響CdSe納米粒子的發(fā)光性能。如何對納米粒子的表面進行修飾，改進納米粒子的性能成為合成納

2、米粒子的一個方向。 本論文對半導體納米晶的概念、性質(zhì)、制備與表征方法以及發(fā)展現(xiàn)狀進行了綜述。采用傳統(tǒng)化學方法中的膠體合成方法，在三辛基氧化膦(TOPO)和十六胺(HDA)的混合溶劑中制備了有機表面修飾的CdSe半導體納米晶。敘述了有機配體的包覆機制及作用。對整個反應過程進行了詳細的敘述和分析。用透射電鏡、x射線衍射儀、紫外可見光吸收光譜儀、熒光分光光度儀等對最終得到的CdSe納米晶進行了表征。 本文在不同反應時間和反應溫

3、度下合成了一系列CdSe納米晶，并對得到的納米晶進行了紫外吸收光譜和熒光光譜分析。隨著反應溫度的升高所得到的CdSe納米粒子的吸收峰和熒光峰對應的波長均發(fā)生藍移；隨著反應時間的延長得到的納米晶的吸收和發(fā)射峰的位置紅移，根據(jù)吸收峰的紅移可以推斷出反應時間越長得到的納米晶就越大。 在制備CASe納米晶的基礎上，對核殼結(jié)構納米晶的制備進行了初步的探索。以CdO為前驅(qū)物，用方便的一鍋法，制備了ZnSe包覆的CdSe/ZnSe核殼結(jié)構納米