納米半導(dǎo)體修飾金屬電極的制備、表征及其催化性能研究_第1頁
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文檔簡介

1、天津大學(xué)碩士學(xué)位論文納米半導(dǎo)體修飾金屬電極的制備、表征及其催化性能研究姓名：劉洋申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：應(yīng)用化學(xué)指導(dǎo)教師：張衛(wèi)國20061201ABSTRACTInthisdissertation，withalloy(Cu／NiWP)asunderlay，Wepreparedsemiconductor(Ti02andCdS)electrodeandTi02／CdSsemiconductorcompoundelectrodebychemi

2、calbathdepositionprocessandsolgelprocessAlloymaterialhasgoodcatalysisintheprocessofhydrogenoutgoingandcompoundsemiconductorhasgoodphotoelectricitypropertyAccordingtocathodicpolarizationcurves、SEM、XRDandimpedancetest，thei

3、nfluencethatthesinteringtemperature，thicknessofTi02filmandthicknessofCdSfilmexposetothephoto—electricityoftheelectrodeisstudiedTheresultshowsthatafterheattreatmentat200℃，NiWPalloyelectrodesexhibitthehighestelectrocatalyt

4、icactivityforHERandtheoverpotentialisloweredby110mVat8mA／cm2comparedwithNiWPalloywithoutheattreatment，nleelectrochemicalreactionresistanceforHERofNiWPalloyheattreatedat200。Cis171Qcm2anditsexchangecurrentdensityis50timesa

5、shi曲asthatofNiWPalloywithoutheattreatmentTheincreaseinelectrocatalyticactivityofNiWPalloyscallbeattributedtotheincreaseintherealsurfaceareasandthedecreaseintheapparentenergyofactivationThesurfacemorphologyandmicrostructu

6、reofNiWPalloyelectrodeWerecharacterizedTheaveragegrainsizeofNiWPalloyannealedat200℃increasesfrom11t028nmanditsstructurechangesfromamorphoustonanocrystallineTheTi02／NiWPelectrodeannealedat550℃forlhhasthebestphotoelectroca

7、talyticactivityforHER，andtheoverpotentialforHERdecreasesabout140mVunderilluminationTheTi02filmwiththeaveragegrainsizeof510nmismixedcrystalstructurecontaininganataseandruflecrystalphasesSemiconductorcompoundelectrodewitha

8、lloy(Cu／NiWP)asunderlaywhichsinteringtemperaturefor550℃，thethicknessofTi02filmforfifteenlayers，thethicknessofCdSfilmforfourlayershasthebestphotoelectricityproperty，andphotocurrentwithlightonincreased5000aAlso，whenaddtosu

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