碳化硅MOSFET的高溫模型及關鍵工藝研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、作為第三代寬禁帶半導體材料代表之一，碳化硅由于具有優(yōu)越的電學、熱學性質，因此在高溫、高頻及大功率場合下有廣泛的應用前景。本文對SiC MOSFET器件的高溫特性作了詳細的研究，著重討論了影響器件高溫條件下輸出特性的諸多因素，并就目前的工藝水平對SiC MOSFET 制作的關鍵工藝—歐姆接觸進行了實驗研究。 論文研究了SiC 中載流子“凍析效應”、溝道遷移率及本征載流子濃度等在不同溫度下對SiC MOSFET 閾值電壓的影響；源漏

2、接觸電阻及SiC 二極管反向飽和電流隨溫度的變化關系。 論文提出了一個帶溫度補償的SiC MOSFET 解析模型。該模型通過將閾值電壓，體漏電流，源漏薄層電阻等在高溫條件下對輸出電流變化的影響等效為與源漏溝道并聯的等效電流源。通過對該模型仿真得到，高溫條件下漏電流的變化主要是由閾值電壓的變化引起的，同時體內缺陷的存在導致在漏-襯端Poole-Frenkel效應明顯，體漏電流不可忽略，并且隨著溫度的升高，其所占比例不斷增大，逐漸成

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