高壓大電流碳化硅MOSFET串并聯(lián)模塊.pdf

1、碳化硅(SiC) MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件，其性能在高溫、高頻、高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)合具有優(yōu)于硅基功率半導(dǎo)體器件。然而，由于碳化硅晶元生長(zhǎng)和SiC MOSFET制造工藝的限制，現(xiàn)在商用SiC MOSFET電流電壓等級(jí)一般為1200V/40A。為了實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET在中大功率場(chǎng)合的應(yīng)用，需要將SiCMOSFET串并聯(lián)以提高電壓和電流能力。
　　本文分析了各種已發(fā)表的用于功率器件串聯(lián)的方案，比較了這些方案的優(yōu)缺點(diǎn)，

2、并在此基礎(chǔ)上提出了一種新型串聯(lián)拓?fù)?，該拓?fù)淇梢詫?shí)現(xiàn)對(duì)多個(gè)功率器件的串聯(lián)而僅需單個(gè)外部驅(qū)動(dòng)。同時(shí)，為了提高電路的電流能力，采用兩組SiCMOSFET并聯(lián)。分析了此串并聯(lián)電路的工作原理和闡述了其設(shè)計(jì)要點(diǎn)。通過(guò)六個(gè)1200V/40ASiC MOSFET三管串聯(lián)兩管并聯(lián)實(shí)現(xiàn)了3600V/80ASiC MOSFET分立元件級(jí)電路結(jié)構(gòu)，并對(duì)其開關(guān)速度和損耗進(jìn)行了分析。
　　為了將3600V/80ASiC MOSFET串并聯(lián)電路在模塊層面加以實(shí)