納米鋁鹽水解物雜化聚酰亞胺薄膜的結(jié)構(gòu)與性能研究.pdf

1、現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的發(fā)展對(duì)工程電介質(zhì)材料的種類和性能提出了更高的要求，各種雜化材料應(yīng)運(yùn)而生。納米材料以其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，受到人們的關(guān)注。無(wú)機(jī)納米雜化聚酰亞胺(PI)材料具有良好的耐電暈性能，美國(guó)杜邦公司生產(chǎn)的耐電暈化聚酰亞胺薄膜(Kapton 100CR薄膜)已經(jīng)在電子、電氣等領(lǐng)域得到應(yīng)用。 本文采用溶膠-凝膠法將鋁鹽水解物摻雜到聚酰胺酸基體中，制備出聚酰亞胺單層雜化薄膜和三層復(fù)合薄膜。利用耐電暈測(cè)試裝置、耐擊穿測(cè)試裝置、介電譜儀、熱

2、失重分析儀、掃描電子顯微鏡(SEM)、紫外-可見(jiàn)光光譜儀(UV-VIS)對(duì)薄膜的電學(xué)性能、熱性能、表面形貌、光學(xué)性能進(jìn)行了測(cè)試或表征，并對(duì)結(jié)果進(jìn)行了分析。 實(shí)驗(yàn)表明，摻雜鋁鹽水解物24wt％(Al2O3含量)的三層復(fù)合雜化聚酰亞胺薄膜的耐電暈壽命為35.6h，比未摻雜薄膜提高約10倍，接近于DuPont100CR薄膜，但是單層雜化薄膜的耐電暈性很差；雜化薄膜與未摻雜薄膜的擊穿強(qiáng)度相比下降明顯，三層復(fù)合薄膜比雜化薄膜的擊穿強(qiáng)度明顯

3、高很多，但是都低于DuPont 100CR薄膜的擊穿強(qiáng)度，而DuPont 100CR薄膜的擊穿強(qiáng)度比未摻雜PI薄膜的低10％；在中低頻區(qū)雜化薄膜的相對(duì)介電常數(shù)εr，比未摻雜薄膜大，并在高頻區(qū)有快速下降趨勢(shì)，在低頻區(qū)都隨著摻雜量的增加而增大；在低頻區(qū)，雜化薄膜的介電損耗tanδ隨頻率增大而略有降低，但都比未摻雜薄膜高，在中高頻區(qū)，摻雜薄膜的tanδ隨頻率的變化曲線明顯升高，但在高頻區(qū)迅速下降；熱失重的曲線顯示，隨著無(wú)機(jī)組分摻雜量的增加，分