鈦酸鋇-聚酰亞胺納米復合薄膜的制備與性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、陶瓷/聚合物復合材料結合了陶瓷材料和聚合物材料的優(yōu)點，是一種很有發(fā)展前景的電子材料。通過制備工藝的優(yōu)化，有望得到機械性能優(yōu)良、成型工藝簡單的高介電復合材料。 本文以具有優(yōu)良熱性能的聚酰亞胺(PI)為基體，將PI與鈦酸鋇(BT)陶瓷粉進行復合，制備了高溫度穩(wěn)定性的鈦酸鋇/聚酰亞胺(BT/PI)納米復合薄膜，并對該復合薄膜的性能進行了詳細地表征。主要工作如下： (1)不采用任何的偶聯(lián)劑或分散劑，分別用溶液混合法和原位聚合法制

2、備BT/PI納米復合薄膜，并對比兩種制備工藝對復合薄膜的介電性能的影響。 (2)研究了原位聚合法制備的BT/PI納米復合薄膜的微觀結構，分析了核殼結構產(chǎn)生的原因，探討了這種核殼結構對復合薄膜的介電常數(shù)和擊穿強度的影響。 (3)研究了原位聚合法制備的BT/PI納米復合薄膜的介電性能的頻率依賴性以及介電性能和陶瓷含量的關系，并用線性模型模擬了BT/PI納米復合薄膜的介電性能和陶瓷含量的關系。 (4)研究了原位聚合法制

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