Ti-Al為導(dǎo)電阻擋層的硅基鐵電電容器集成研究.pdf

1、應(yīng)用磁控濺射法和溶膠-凝膠法，以非晶Ti-Al薄膜為導(dǎo)電阻擋層在硅襯底上制備了Pt/La0.5Sr0.5CoO3/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/La0.5Sr0.5CoO3/Ti-Al/Si（Pt/LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si）鐵電電容器異質(zhì)結(jié)，應(yīng)用鐵電測試儀研究了其性能。結(jié)果顯示：電容器在5V外加驅(qū)動電壓下測得其具有較高的剩余極化強(qiáng)度（32.4μC/cm2）和較低的矯頑電壓（1.1V），疲勞特性和保持特性測試表明異

2、質(zhì)結(jié)具有很好的抗疲勞性和保持特性，可滿足應(yīng)用器件的要求。
　　采用溶膠-凝膠法制備了對應(yīng)不同Pb過量前驅(qū)體的PZT薄膜，應(yīng)用鐵電測試儀等研究了LSCO/PZT/LSCO鐵電電容器極化反轉(zhuǎn)性能。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，對應(yīng)Pb過量15％的前驅(qū)體的樣品，在550℃常規(guī)退火1h后相對具有較好的翻轉(zhuǎn)性能，能譜分析也進(jìn)一步表明能得到所要求化學(xué)計(jì)量比的PZT薄膜，在5V的外加電場下，LSCO/PZT/LSCO鐵電電容器的矯頑電壓和剩余極化強(qiáng)度分別為1.25

3、V和24.6μC/cm2。疲勞測試分析表明：在經(jīng)過109翻轉(zhuǎn)后，不同樣品的抗疲勞性能均很好。分析各樣品的電阻率發(fā)現(xiàn)：隨著前驅(qū)體中Pb過量的增加，電阻率呈現(xiàn)下降的趨勢。
　　采用射頻磁控濺射法在Si(111)襯底上制備了(001)高度擇優(yōu)取向的Ti3Al薄膜，研究了生長溫度對Ti3Al薄膜微結(jié)構(gòu)的影響。研究發(fā)現(xiàn)，高度擇優(yōu)取向Ti3Al薄膜的最佳生長溫度為630℃。構(gòu)架了Pt/LSCO/PZT/LSCO/Ti3Al/Si鐵電電容器異質(zhì)