氧化物阻變存儲(chǔ)器材料中電阻轉(zhuǎn)變與電場(chǎng)對(duì)磁性的調(diào)控.pdf

1、阻變存儲(chǔ)器是近十多年來(lái)備受關(guān)注的一種新型非易失性存儲(chǔ)器，作為新一代非易失性存儲(chǔ)器的候選者，它所表現(xiàn)出來(lái)的存儲(chǔ)潛力遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)其他幾種存儲(chǔ)器。電場(chǎng)調(diào)控磁性的研究在信息存儲(chǔ)方面有至關(guān)重要的作用，電場(chǎng)調(diào)控磁性可以實(shí)現(xiàn)對(duì)信息的高速低功耗寫(xiě)入。器件多功能化正變得受人關(guān)注，同時(shí)引領(lǐng)著多種物理機(jī)制耦合作用的研究，阻變存儲(chǔ)器跟磁性的耦合是一個(gè)典型的例子，利用電阻轉(zhuǎn)變行為實(shí)現(xiàn)電場(chǎng)對(duì)磁性的調(diào)控，將電阻轉(zhuǎn)變和磁性轉(zhuǎn)變集中在一個(gè)器件中，可以實(shí)現(xiàn)信息的多態(tài)存儲(chǔ)。

2、r>　　本論文得到如下結(jié)論:
　　1、Ag/SrTiO3/Pt阻變存儲(chǔ)器件，測(cè)量器件的電阻轉(zhuǎn)變特性及電場(chǎng)調(diào)控磁性，器件有明顯的雙極轉(zhuǎn)變特性及隨著電阻轉(zhuǎn)變磁性是發(fā)生變化的，電阻的轉(zhuǎn)變是因?yàn)殂y原子發(fā)生氧化還原反應(yīng)導(dǎo)致銀導(dǎo)電細(xì)絲的形成和斷開(kāi)，磁性的轉(zhuǎn)變是隨電阻轉(zhuǎn)變過(guò)程薄膜材料中氧空位濃度發(fā)生變化引起。
　　2、Ag/CeO2/Nb∶SrTiO3/Ag和Ag/Sm2O3/Nb∶SrTiO3/Ag阻變存儲(chǔ)器件，測(cè)量?jī)蓚€(gè)器件的電阻轉(zhuǎn)變特

3、性及電場(chǎng)調(diào)控磁性，器件有明顯的雙極電阻轉(zhuǎn)變特性及隨著電阻轉(zhuǎn)變磁性是發(fā)生變化的，其中電阻的轉(zhuǎn)變特性是源于注入電子的束縛和退束縛過(guò)程對(duì)肖特基勢(shì)壘的調(diào)制作用，磁性的轉(zhuǎn)變是隨電阻轉(zhuǎn)變過(guò)程薄膜材料中氧空位濃度發(fā)生變化引起。
　　3、Ta/Ta2O5/Pt測(cè)量器件，測(cè)量器件的電阻轉(zhuǎn)變特性及電場(chǎng)調(diào)控磁性，電阻轉(zhuǎn)變存在多級(jí)轉(zhuǎn)變，并且還觀察到器件隨著電阻轉(zhuǎn)變磁性是發(fā)生變化的。電阻的多級(jí)轉(zhuǎn)變是因?yàn)門(mén)a2O5轉(zhuǎn)變到較高導(dǎo)電率的還原態(tài)TaG2及氧空位導(dǎo)電