基于二元氧化物阻變存儲器的研究.pdf

1、代號代號分類號分類號學號學號密級密級10701TN4公開公開1111122775題（中、英文）（中、英文）目基于二元氧化物基于二元氧化物阻變存儲器的研究阻變存儲器的研究ResearchonResistiveSwitchingMemyBasedonBinaryOxides作者姓名作者姓名楊龍康楊龍康高海霞高海霞副教授副教授工學工學提交論文日期提交論文日期二〇一四年一月二〇一四年一月微電子與固體電子學微電子與固體電子學指導教師姓名指導教師姓

2、名、職稱職稱學科門類學科門類學科、專業(yè)學科、專業(yè)摘要摘要存儲器與人們的生活密切相關(guān)，非揮發(fā)性存儲器則占據(jù)了存儲器市場的百分之九十以上。Flash代表著當今應用最為廣泛的非揮發(fā)性存儲器，占半導體存儲器市場的絕大份額。然而，基于傳統(tǒng)浮柵結(jié)構(gòu)的Flash技術(shù)遭遇到了嚴重的技術(shù)瓶頸，嚴重的影響了Flash的進一步廣泛應用。一些基于其它原理實現(xiàn)存儲功能的新型非揮發(fā)性存儲器近年來得到了人們越來越多的關(guān)注。而RRAM作為這種新型非揮發(fā)性存儲器中的一員

3、，憑借其高讀寫速度、低功耗、高集成度、低成本等優(yōu)勢成為下一代主流存儲器的重點研究對象。本文將研究RRAM的注意力集中在二元金屬氧化物材料上，因為其組份簡單且制備工藝與目前的CMOS制程相兼容。主要開展了基于TiO2、TiO2Al2O3、La2O3材料RRAM器件電阻轉(zhuǎn)變特性以及電阻轉(zhuǎn)變機制方面的研究。論文首先對RRAM阻變存儲器的基本原理，結(jié)構(gòu)和研究現(xiàn)狀進行了簡單的論述。目前世界范圍內(nèi)對RRAM研究仍然停留于初始階段，本課題實驗過程中首