基于802.11abgcmos雙頻段低噪聲放大器的研究與設(shè)計(jì)

1、華東師范大學(xué)碩士學(xué)位論文基于802.11abgCMOS雙頻段低噪聲放大器的研究與設(shè)計(jì)姓名：景一歐申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專(zhuān)業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：賴(lài)宗聲200704012007屆華東師范大學(xué)碩士學(xué)位論文摘要近年來(lái)，主流無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)市場(chǎng)表現(xiàn)出了多種無(wú)線(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)共存的局面(80211a／b／g)，無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備要求能夠兼容所有的工作模式。隨著成本的降低和各個(gè)供應(yīng)商之間的激烈競(jìng)爭(zhēng)，采用多套獨(dú)立系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)多標(biāo)準(zhǔn)兼容的方法已經(jīng)變得過(guò)時(shí)，市場(chǎng)對(duì)多頻段

2、收發(fā)機(jī)的需求顯得愈發(fā)明顯。作為降低成本的有效解決方案，無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)領(lǐng)域的多頻段技術(shù)越來(lái)越引起人們的注意。同時(shí)，CMOS技術(shù)作為一種IC主流的工藝，隨著線(xiàn)條尺寸的減小，其高頻特性不斷取得突破，甚至達(dá)到了100GHz。本文就多頻段無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)接收機(jī)中的關(guān)鍵模塊之——雙頻段低噪聲放大器的設(shè)計(jì)和采用RFCMOS工藝實(shí)現(xiàn)進(jìn)行了研究。在充分的文獻(xiàn)調(diào)研基礎(chǔ)上，本文取得了以下結(jié)果：1本文首先就低噪聲放大器所在的鏡像抑制接收機(jī)進(jìn)行了介紹，設(shè)計(jì)了接收機(jī)的鏈路增

3、益分配。通過(guò)級(jí)聯(lián)系統(tǒng)線(xiàn)性度和噪聲的公式，推導(dǎo)出了適合無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)接收機(jī)的低噪聲放大器所要達(dá)到的性能指標(biāo)。2本文在兩端口噪聲網(wǎng)絡(luò)模型的基礎(chǔ)上加以推導(dǎo)，建立了MOSFET的噪聲兩端口網(wǎng)絡(luò)模型，并通過(guò)兩端口網(wǎng)絡(luò)模型的噪聲匹配條件導(dǎo)出了MOSFET噪聲匹配的條件。3分析了文獻(xiàn)所報(bào)道的各種電感模型的優(yōu)缺點(diǎn)后，采用了最新的襯底耦合模型，對(duì)低噪聲放大器中所需要的片上電感進(jìn)行建模，給出了參數(shù)擬和的方法與步驟，并且與較為常用的雙萬(wàn)模型進(jìn)行仿真對(duì)比。4基于H