0.18微米邏輯生產流程與工藝控制監(jiān)控

1、0.180.180.180.18微米邏輯生產流程與工藝控制監(jiān)控微米邏輯生產流程與工藝控制監(jiān)控0.180.180.180.18μμμμmmmmLogicLogicLogicLogicProcessProcessProcessProcessFlowFlowFlowFlowProcessProcessProcessProcessControlControlControlControlMonitMonitMonitMonit學科專業(yè)：集成電路工

2、程研究生：劉業(yè)指導教師：胡明教授企業(yè)導師：楊林宏高級工程師天津大學電子信息工程學院二零一二年十一月中文摘要中文摘要集成電路技術按摩爾定律飛速發(fā)展，器件特征尺寸不斷縮小、電路性能不斷完善、集成度不斷提高。目前，器件特征尺寸已經接近納米級，電路工作頻率已經進入GHz時代，專用集成電路的集成度已經超過千萬門晶體管規(guī)模[1]。器件特征尺寸不斷縮小，同時，在硅片上的芯片密度不斷增加，每一步都決定著成功還是失敗的關鍵問題：沾污、結深、關鍵尺寸、薄膜

3、的質量等。另外，新材料和新工藝的引入也都會給芯片失效帶來新問題。監(jiān)控對于描繪硅片的特性與檢查其成品率非常關鍵。PCM（ProcessControlMonit）工藝控制監(jiān)控是半導體制造過程中的一個重要環(huán)節(jié)。它主要是對器件芯片的電參數(shù)進行測量，反映出產品在制作過程中是否符合工藝要求以及存在哪些質量問題，是對生產整合工藝的一種綜合監(jiān)控。本文首先簡要分析了PCM測試系統(tǒng)的結構、測試原理和方法，探討了PCM測試對于半導體制作工藝的監(jiān)測作用。接著基

4、于8英寸晶圓0.18微米邏輯制程工藝，闡述了晶圓生產工藝流程，主要包括器件的形成，硅化金屬（Salicide）沉積到內層電介質ILD(InterLayerDielectric)沉積的完成，以及多層互連工藝流程。PCM測試的參數(shù)與工藝流程息息相關，工藝流程的了解對于PCM參數(shù)的理解意義重大。本文重點研究了PCM測試常見參數(shù)，包括測試方法，測試結構，物理意義以及影響其表現(xiàn)的工藝因素，對參數(shù)與半導體生產工藝的關系有了深刻的理解。論文最后對芯片