19511.利用cbd法進(jìn)行氧化鋅摻雜半導(dǎo)體納米陣列的制備及特性研究

1、碩士學(xué)位論文論文題目：利用CBD法進(jìn)行氧化鋅摻雜半導(dǎo)體納米陣列的制備及特性研究作者姓名作者姓名王敏王敏指導(dǎo)教師指導(dǎo)教師隋成華教授隋成華教授呂斌講師呂斌講師學(xué)科專(zhuān)業(yè)學(xué)科專(zhuān)業(yè)____________物理學(xué)物理學(xué)____________所在學(xué)院所在學(xué)院理學(xué)院理學(xué)院提交日期提交日期2015年4月18日浙江工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文I利用CBD法進(jìn)行氧化鋅摻雜半導(dǎo)體納米陣列的制備及特性研究摘要氧化鋅的特性在很大程度上取決于微觀尺寸和形貌，除了單一的薄膜

2、結(jié)構(gòu)其他復(fù)雜的結(jié)構(gòu)也已經(jīng)被廣泛研究。氧化鋅材料中摻入不同的元素能改變其光學(xué)、磁學(xué)、電學(xué)等特性。摻錫能制得三元半導(dǎo)體Zn2SnO4但是目前為止還沒(méi)有關(guān)于摻錫氧化鋅納米陣列的報(bào)道。在CdTe太陽(yáng)能電池中，利用磁控濺射法制得的Zn2SnO4可以作為緩沖層來(lái)提高太陽(yáng)能電池窗口層的光學(xué)透過(guò)率和短路電流。我們希望用水熱法（CBD）合成ZNAs:Sn來(lái)代替現(xiàn)有的磁控濺射制備的Zn2SnO4薄膜，作為碲化鎘太陽(yáng)能電池中的緩沖層。通過(guò)適當(dāng)?shù)睦碚撃M來(lái)指導(dǎo)

3、實(shí)驗(yàn)，調(diào)整適合的陣列密度以及納米棒直徑來(lái)提高緩沖層的透過(guò)率，提高太陽(yáng)能電池的外量子效率。另外探索Sn的最佳摻雜，同時(shí)生成納米陣列使緩沖層的能隙藍(lán)移，讓更多的光子進(jìn)入PN結(jié)中。本論文利用水熱法在旋涂法制成的種子層基底上生長(zhǎng)氧化鋅納米陣列（ZNAs）和摻錫氧化鋅納米陣列（ZNAs:Sn）。為了研究摻錫對(duì)氧化鋅納米陣列透光性的影響，我們用X射線衍射（XRD）、掃描電鏡（SEM）、透射譜和橢圓偏振儀（SE）對(duì)樣品進(jìn)行了表征，并結(jié)合等效介質(zhì)模型（