太陽(yáng)能電池pecvd裝置設(shè)計(jì)-畢業(yè)論文

1、<p><b>　　畢業(yè)設(shè)計(jì)</b></p><p>　　設(shè)計(jì)題目 太陽(yáng)能電池PECVD裝置設(shè)計(jì)_______</p><p>　　學(xué)生姓名 王真 _</p><p>　　學(xué) 號(hào) 20090761 </p

2、><p>　　專業(yè)班級(jí) 機(jī)械設(shè)計(jì)制造及其自動(dòng)化09-10班 </p><p>　　指導(dǎo)教師 干蜀毅 </p><p>　　院系名稱 機(jī)械與汽車工程學(xué)院 </p><p><b>　　2013年6月4日</b></

3、p><p><b>　　目 錄</b></p><p><b>　　中文摘要1</b></p><p><b>　　英文摘要2</b></p><p><b>　　1 緒論3</b></p><p>　　1.1 我國(guó)太陽(yáng)能

4、電池的發(fā)展現(xiàn)狀及展望3</p><p>　　1.2 PECVD技術(shù)的最新進(jìn)展與應(yīng)用4</p><p>　　2 PECVD原理及沉積工藝參數(shù)4</p><p>　　2.1 PECVD原理及沉積過(guò)程4</p><p>　　2.2 PECVD沉積技術(shù)工藝參數(shù)5</p><p>　　3 PECVD沉積鍍膜生產(chǎn)線

5、7</p><p>　　3.1 PECVD沉積鍍膜生產(chǎn)線的組成7</p><p>　　3.2 PECVD技術(shù)分類及優(yōu)缺點(diǎn)比較8</p><p>　　4 PECVD設(shè)備構(gòu)成及各部分功能.................................................................................10</p&

6、gt;<p>　　5 PECVD沉積鍍膜真空室的設(shè)計(jì)要求與原則10</p><p>　　5.1 設(shè)計(jì)參數(shù)10</p><p>　　5.2 PECVD沉積鍍膜真空室的主要設(shè)計(jì)原則11</p><p>　　5.3 PECVD沉積鍍膜室對(duì)抽氣系統(tǒng)的要求11</p><p>　　6 PECVD沉積鍍膜室主要部分的設(shè)計(jì)與計(jì)算

7、12</p><p>　　6.1 真空室殼體的設(shè)計(jì)與計(jì)算12</p><p>　　6.1.1 真空室殼體的類型選擇13</p><p>　　6.1.2 真空室殼體的計(jì)算與校核13</p><p>　　6.1.3 真空室的ANSYS分析...................................................

8、......................................14</p><p>　　6.2 抽氣系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與計(jì)算18</p><p>　　6.2.1 選泵與配泵18</p><p>　　6.2.2 抽氣時(shí)間的計(jì)算19</p><p>　　6.3 布?xì)庀到y(tǒng)的設(shè)計(jì)..............................

9、...................................................................................21</p><p>　　6.3.1 布?xì)庀到y(tǒng)的作用...................................................................................................

10、.21</p><p>　　6.3.2布?xì)庀到y(tǒng)的結(jié)構(gòu).....................................................................................................22</p><p>　　6.4機(jī)架的設(shè)計(jì)與計(jì)算23</p><p>　　6.4.1 PECVD真空鍍膜室總重估

11、機(jī)架...........................................................................23</p><p>　　6.4.2 機(jī)架的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與校核.................................................................................24</p><p&

12、gt;<b>　　結(jié)論25</b></p><p><b>　　致謝26</b></p><p><b>　　參考文獻(xiàn)28</b></p><p>　　太陽(yáng)能電池PECVD裝置設(shè)計(jì)</p><p>　　摘 要：世界能源消耗持續(xù)增加，全球范圍內(nèi)的能源危機(jī)形勢(shì)愈發(fā)明顯，緩解

13、能源危機(jī)、開發(fā)可再生能源已勢(shì)在必行，太陽(yáng)能電池的應(yīng)用普及已經(jīng)成為一種趨勢(shì)。由于溫度低，效率高等一系列優(yōu)點(diǎn)，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)（PECVD）近年來(lái)在太陽(yáng)能電池板鍍膜技術(shù)中得到了廣泛發(fā)展與應(yīng)用。文中在對(duì)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)（PECVD）的工作原理分析的基礎(chǔ)上，闡述了等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)（PECVD）的主要工藝流程和影響參數(shù)，并介紹了PECVD鍍膜生產(chǎn)線的組成及工作過(guò)程，從而對(duì)PECVD鍍膜設(shè)備進(jìn)行可行性的方案設(shè)計(jì)。

14、文中主要對(duì)真空沉積室、真空抽氣系統(tǒng)、布?xì)庀到y(tǒng)、以及機(jī)架進(jìn)行了設(shè)計(jì)，方案中選用了分子泵作為主泵、機(jī)械泵作為前級(jí)泵，并設(shè)計(jì)了全新的布?xì)庋b置，優(yōu)化了整個(gè)系統(tǒng)。</p><p>　　關(guān)鍵詞：太陽(yáng)能電池，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)，鍍膜，真空，布?xì)庋b 置</p><p>　　The design of the solar cell PECVD device technique </p&g

15、t;<p>　　Abstract : With the energy consumption of the world continues to grow, global energy crisis situation becomes increasingly visible.Relieve the energy crisis and development of renewable energy have been im

16、perative.It is a trend to use of solar cells all over the word .Because of low temperature , higher efficiency higher and anather series of advantages.Plasma enhanced ehemical vapor deposition has been widely indeveloped

17、 and applied in coating technology of the solar panels. Based on the anal</p><p>　　Keywords:The solar cell,Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition , coating film,vacuum,The cloth device</p><p&

18、gt;<b>　　1 緒論</b></p><p>　　1.1我國(guó)太陽(yáng)能電池的發(fā)展現(xiàn)狀及展望</p><p>　　由于世界能源消耗持續(xù)增加，全球范圍內(nèi)的能源危機(jī)形勢(shì)愈發(fā)明顯，緩解能源危機(jī)、開發(fā)可再生能源、實(shí)現(xiàn)能源的可持續(xù)發(fā)展成為世界各國(guó)能源發(fā)展戰(zhàn)略的重大舉措。由于太陽(yáng)能的可再生、分布廣、無(wú)污染的特性，使太陽(yáng)能發(fā)電成為世界可再生能源發(fā)展的重要方向。自20世紀(jì)80年代以

19、來(lái)，光伏產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為全世界增長(zhǎng)速度最快的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)之一，目前研究的太陽(yáng)能電池有“硅太陽(yáng)能電池，化合物半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池染料敏化太陽(yáng)能電池”其中晶體硅太陽(yáng)能電池技術(shù)更是占據(jù)了整個(gè)光伏技術(shù)的主導(dǎo)地位。截至09年的近10年間全球太陽(yáng)能電池產(chǎn)量平均年增長(zhǎng)率為48.5%;而最近5年，這一數(shù)據(jù)更是高達(dá)55.2%。2009年全球太陽(yáng)電池產(chǎn)量達(dá)到10.5GWp，比上年增長(zhǎng)33%。截止到2009年年底，全球太陽(yáng)能電池累計(jì)安裝量已達(dá)到24.5GWp。目前，

20、太陽(yáng)能電池市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈，歐洲和日本領(lǐng)先的格局已被打破。盡管主要的銷售市場(chǎng)在歐洲，但太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)重鎮(zhèn)已經(jīng)轉(zhuǎn)移到亞洲，近年來(lái)崛起的大陸和臺(tái)灣制造商，加起來(lái)的產(chǎn)能已達(dá)全球一半。中國(guó)已經(jīng)成為世界太陽(yáng)能電池的最大生產(chǎn)國(guó)，2009年中國(guó)太陽(yáng)能電池產(chǎn)量已經(jīng)達(dá)到了4.3GW，占全球份額已達(dá)到4成。2010年前 8個(gè)月</p><p>　　國(guó)內(nèi)外太陽(yáng)能電池的研究正向著“高效化，薄片化”的方向發(fā)展，緊緊圍繞提高光電轉(zhuǎn)換效率和降低

21、生產(chǎn)成本兩大目標(biāo)的各種新型太陽(yáng)能電池的研究工作，一直在各發(fā)達(dá)國(guó)家及一些發(fā)展中國(guó)家積極進(jìn)行 ，即用新材料、新結(jié)構(gòu)和新工藝制造的太陽(yáng)能電池。目前晶體硅高效太陽(yáng)能電池和各類薄膜太陽(yáng)能電池是全球新型太陽(yáng)能電池研究開發(fā)的兩大熱點(diǎn)和重點(diǎn)。 其中多晶硅薄膜電池的研究工作，自１９８７年以來(lái)發(fā)展迅速，目前實(shí)驗(yàn)室效率已超過(guò)１７％，成為引起世界光伏界矚目的新熱點(diǎn)，前景看好。</p><p>　　1.2 PECVD技術(shù)的最新進(jìn)展與應(yīng)用&

22、lt;/p><p>　　由于PECVD方法的特點(diǎn)在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學(xué)氣相沉積過(guò)程所需的激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過(guò)程，生成活性很高的各種化學(xué)基團(tuán)，因而顯著降低CVD薄膜沉積的溫度范圍，使得需要在高溫下才能進(jìn)行的CVD過(guò)程得以在低溫實(shí)現(xiàn)。 因此可以節(jié)省能源，降低成本提高產(chǎn)能，減少了高溫導(dǎo)致的硅片中少子壽命衰減。</p><p&

23、gt;　　然而這種技術(shù)中也存在一定的缺陷，特別是在反應(yīng)濺射過(guò)程中存在著沉積速率低及工藝不穩(wěn)定等問(wèn)題。目前市場(chǎng)上應(yīng)用較多的有直接法（樣品直接接觸等離子體）和間接法兩種方式。其中直接PECVD的等離子體直接作用于硅片表面，均勻性好，間接PECVD中形成生長(zhǎng)成分?jǐn)U散到襯底成膜，致密度差，基元和襯底附著力差，因此直接PECVD法是較為理想的選擇</p><p>　　2 PECVD原理及沉積工藝參數(shù)</p>

24、<p>　　2.1 PECVD原理及沉積過(guò)程</p><p>　　PECVD技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。PECVD方法區(qū)別于其它CVD方法的特點(diǎn)在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學(xué)氣相沉積過(guò)程所需的激活能。電子

25、與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過(guò)程，生成活性很高的各種化學(xué)基團(tuán)，因而顯著降低CVD薄膜沉積的溫度范圍，使得原來(lái)需要在高溫下才能進(jìn)行的CVD過(guò)程得以在低溫實(shí)現(xiàn)。 PECVD的一個(gè)基本特征是實(shí)現(xiàn)了薄膜沉積工藝的低溫化（<450℃）。因此帶來(lái)的好處有：（1）節(jié)省能源（2）降低成本提高產(chǎn)能（3）減少了高溫導(dǎo)致的硅片中少子壽命衰減。</p><p>　　PECVD沉積過(guò)程分為以下三個(gè)步驟：（

26、1），在非平衡等離子體中，電子與反應(yīng)氣體發(fā)生初級(jí)反應(yīng)使氣體發(fā)生發(fā)生分解生成離子和活性基團(tuán)（2），各活性基團(tuán)向薄膜生長(zhǎng)表面和室壁擴(kuò)散運(yùn)輸同時(shí)發(fā)生各反應(yīng)物間的次級(jí)反應(yīng)（3），到達(dá)生長(zhǎng)表面的初級(jí)反應(yīng)和次級(jí)反應(yīng)產(chǎn)物被吸附并與表面發(fā)生反應(yīng)，同時(shí)伴隨氣相分子物的再放出</p><p>　　2.2 PECVD沉積技術(shù)工藝參數(shù)</p><p><b>　　頻率</b></p&g

27、t;<p>　　在高頻下沉積的薄膜具有張應(yīng)力，而在低頻下有壓應(yīng)力。絕大多數(shù)條件下，低頻氮化硅薄膜的沉積速率低于高頻率薄膜，而密度明顯高于高頻薄膜。所有條件下沉積的氮化硅薄膜都具有較好的均勻性，相對(duì)來(lái)說(shuō)，高頻薄膜沉積的均勻性優(yōu)于低頻氮化硅薄膜。</p><p><b>　　功率</b></p><p>　　功率對(duì)薄膜沉積的影響為：一方面，在PECVD工藝中

28、，由于高能粒子的轟擊是界面態(tài)密度增加，引起基片特性發(fā)生變化或衰退，特別是在反應(yīng)初期，故希望功率越小越好。功率小一方面可以減輕高能粒子對(duì)基片的表面的損傷，另一方面可以降低沉淀速率，使得反應(yīng)易于控制，制備的薄膜致密，均勻。另一方面，功率太低時(shí)不利于沉積出高質(zhì)量的薄膜，由于功率太低，反應(yīng)物離解的不完全，容易造成反應(yīng)物浪費(fèi)。</p><p><b>　　壓力</b></p><p

29、>　　等離子體產(chǎn)生的一個(gè)重要條件是：反應(yīng)氣體必須處于低真空下，而且其真空度只允許在一個(gè)較窄的范圍內(nèi)變動(dòng)。形成等離子體時(shí)，氣體壓力過(guò)大自由電子的平均自由程很短，每次碰撞在高頻電場(chǎng)中得到加速而獲得的能量很小，削弱了電子激活反應(yīng)氣體分子的能力，甚至根本不足以激發(fā)形成等離子體;而真空度過(guò)高，電子密度太低同樣也無(wú)法產(chǎn)生輝光放電。工藝上：壓強(qiáng)太低，生長(zhǎng)薄膜的沉積速度較慢，薄膜的折射率也較低；壓強(qiáng)太高，薄膜的沉積速率較快，偏見的均勻性較差，容易

30、產(chǎn)生干涉條紋。</p><p><b>　　溫度</b></p><p>　　基板從工藝上說(shuō)，溫度低可避免由于水蒸氣造成的針孔，溫度太低，沉積的薄膜質(zhì)量沒有保證。高溫容易引起基板的變形和組織上的變化，會(huì)降低基板材料的機(jī)械性能；基板材料與膜層材料在高溫下會(huì)發(fā)生相互擴(kuò)散，在界面出形成某些脆性相，從而削弱了兩者之間的結(jié)合力。一次在實(shí)際的生長(zhǎng)過(guò)程中可綜合考慮上述兩個(gè)因素，選擇

31、合適的生長(zhǎng)溫度，使薄膜的結(jié)晶溫度達(dá)到最佳?；鍦囟扰c膜應(yīng)力的關(guān)系：從低溫到高溫，應(yīng)力的變化趨勢(shì)是從壓應(yīng)力變?yōu)閺垜?yīng)力。</p><p><b>　　反應(yīng)氣體</b></p><p>　　在流量不變的情況下，氮化硅的折射率隨著流量的增加而增大，而沉積速率隨著流量的增加而下降，反應(yīng)生物中硅含量增加，氮化硅呈富硅特性，薄膜變得更加致密，折射率變大；另一方面，流量增大使得反應(yīng)室

32、內(nèi)氣體濃度增加，氣體分子的平均自由程變小，沉積到表面的反應(yīng)生成物減少，導(dǎo)致沉積速率隨著流量增加而減小。折射率的高低主要取決于膜中Si/N的比值，沉積溫度低時(shí)，薄膜富硅則折射率較高。隨著溫度升高，Si/N比值減少，薄膜折射率減??；沉積溫度升高，使得反應(yīng)室中存在的少量氧氣也參加反應(yīng)，由于氧的電負(fù)性大于氮，故氧可替代薄膜中的Si-N鍵中氮的位置，導(dǎo)致薄膜中氧的含量增加，使得薄膜的折射率下降。</p><p><b

33、>　　極板間距</b></p><p>　　極板間距對(duì)沉積成膜有著非常重要的影響，間距不能太大也不能太小。如果間距太大，大大影響沉積速度，造成局部問(wèn)題，嚴(yán)重影響成膜質(zhì)量。如果間距太小，從Show head出來(lái)的強(qiáng)氣流直接噴到玻璃基板上，這樣會(huì)造成以下后果：強(qiáng)氣流直接沖擊玻璃板面，離子可能來(lái)不及沉積就被強(qiáng)氣流沖走，這樣就降低了成膜速率；因?yàn)殚g距太小，這樣使得離子反應(yīng)速度過(guò)快，即使離子沒有被強(qiáng)氣流帶

34、走而沉積到玻璃基板上，那么成膜質(zhì)量也是個(gè)很差的，因?yàn)殚g距太小可能引起氣相中的聚合反應(yīng)，從而引起顆粒的產(chǎn)生、成品率下降、組件可靠性降低等；極板過(guò)近會(huì)造成鍍膜過(guò)程中電弧放電擊穿基板和表面陽(yáng)極膜，造成設(shè)備損傷。</p><p><b>　　抽氣速度</b></p><p>　　在氣體壓力維持在一定的情況下，抽氣速率越快氣體滯留的時(shí)間越短，如果抽速一定，則滯留時(shí)間不變。隨著沉

35、積次數(shù)的增加，機(jī)械泵的抽氣速率下降，維持規(guī)定的氣體流量反應(yīng)室氣體壓力會(huì)不斷增高；而要保持氣體的壓力不變則又必須不斷減少流量，這不僅造成工藝操作難以掌握，而且技術(shù)指標(biāo)也難以保證，因此雖然壓力不變，但在低抽速小流量的情況下，氣體在反應(yīng)室中的滯留時(shí)間增加，造成沉淀速率上升，并且影響沉積均勻性。</p><p><b>　　沉積時(shí)間</b></p><p>　　沉積時(shí)間太短，

36、膜厚及折射率達(dá)不到要求。時(shí)間太長(zhǎng)，會(huì)造成工藝氣體的浪費(fèi)，增加工藝成本，同時(shí)也影響沉積膜的質(zhì)量。當(dāng)膜厚過(guò)高時(shí)，薄膜會(huì)開裂，甚至脫落。因根據(jù)膜厚和沉積速率選擇合適的沉積時(shí)間</p><p>　　3 PECVD沉積鍍膜生產(chǎn)線</p><p>　　3.1 PECVD沉積鍍膜生產(chǎn)線的組成</p><p>　　任何類型的生產(chǎn)線，對(duì)于產(chǎn)品的產(chǎn)生過(guò)程都要遵守符合某種規(guī)律的生產(chǎn)流程

37、要求，圖3.1是該類生產(chǎn)線的典型流程圖：</p><p>　　圖3.1 太陽(yáng)能電池PECVD沉積鍍膜玻璃產(chǎn)品生產(chǎn)流程圖</p><p>　　為了達(dá)到大面積太陽(yáng)能電池板表面鍍膜流程要求，實(shí)現(xiàn)連續(xù)性生產(chǎn)，其總體設(shè)計(jì)構(gòu)思均采用串接積木組合方式（如圖3.2）形成機(jī)械化，自動(dòng)化封閉環(huán)節(jié)的生產(chǎn)線。從圖中可以看出，生產(chǎn)線構(gòu)成可分三大功能段，即Ⅰ—前處理段，Ⅱ—真空鍍膜段，Ⅲ—后處理段。每個(gè)功能段，又有

38、各自獨(dú)立承擔(dān)鍍膜工藝中某一個(gè)單個(gè)工序的功能。通常設(shè)計(jì)這類生產(chǎn)線，應(yīng)考慮以下五個(gè)方面的問(wèn)題做為設(shè)計(jì)依據(jù)[10]。</p><p>　?。?）對(duì)Ⅰ—前處理段應(yīng)滿足如下要求：</p><p>　　a．具有足夠的表面清洗能力；</p><p>　　b．具有可控的基片加熱溫度場(chǎng)；</p><p>　　c．對(duì)原片，發(fā)現(xiàn)疵病有在線篩選能力。</p&g

39、t;<p>　　圖3.2 典型的太陽(yáng)能電池板PECVD沉積鍍膜玻璃生產(chǎn)線</p><p>　　A——進(jìn)線工作臺(tái) B——打霉機(jī)、玻璃洗滌機(jī) C——防塵加熱烘烤裝置</p><p>　　D——膜層折射率檢查臺(tái) E——膜層清洗后處理機(jī) F、G——膜層物理外觀臺(tái)</p><p>　　1#——預(yù)儲(chǔ)室

40、 2#——過(guò)渡室 3#——鍍膜室</p><p>　　4#——鍍膜室 5#——鍍膜室 6#——過(guò)渡室</p><p>　　7#——輸出室 V1～V4——門式閘板閥 K1～K4——隔離腔</p><p><b>　　Z——射頻電源陰

41、極</b></p><p>　?。?）對(duì)Ⅱ—真空鍍膜段應(yīng)滿足如下要求：</p><p>　　a．全段有較強(qiáng)的抽氣能力，創(chuàng)造穩(wěn)定的真空環(huán)境，有良好的氣密性，充入介質(zhì)氣體的可控性，確保PECVD真空室的射頻電源陰極穩(wěn)定工作。</p><p>　　b．真空鍍膜段兩端的真空室的工作周期，即實(shí)現(xiàn)由真空到破壞真空，或從大氣下抽真空，達(dá)到要求的真空度所經(jīng)歷的時(shí)間要短，

42、故一般設(shè)計(jì)要遵循的條件：a真空室空間體積要??；b配置的真空機(jī)組要大，確保限定的循環(huán)周期時(shí)間，即生產(chǎn)節(jié)拍（每片太陽(yáng)能電池板所用的鍍制時(shí)間）短。</p><p>　　c．全程清潔處理方便。</p><p>　?。?）對(duì)Ⅲ—后處理段應(yīng)滿足如下要求：</p><p>　　a．具有在線檢測(cè)玻璃鍍膜后的光學(xué)性能的能力。</p><p>　　b．提供物理外

43、觀表面檢查能力。</p><p>　?。?）滿足設(shè)定的產(chǎn)量要求。</p><p>　?。?）滿足設(shè)定的產(chǎn)品品種要求，且具有一定開發(fā)膜層膜系的潛在能力。</p><p>　　3.2 PECVD技術(shù)分類及優(yōu)缺點(diǎn)比較</p><p>　　PECVD法按沉積腔室等離子源與樣品的關(guān)系上可以分成兩種類型：</p><p>　　（1

44、）直接法：樣品直接接觸等離子體，樣品或樣品的支撐體就是電極的一部分。直接法又分成兩種：</p><p>　　1），管式PECVD系統(tǒng)：即使用像擴(kuò)散爐管一樣的石英管作為沉積腔室，使用電阻爐作為加熱體，將一個(gè)可以放置多片硅片的石墨舟插進(jìn)石英管中進(jìn)行沉積。這種設(shè)備的主要制造商為德國(guó)的Centrotherm公司、中國(guó)的第四十八研究所、七星華創(chuàng)公司。</p><p>　　2），板式PECVD系統(tǒng)：即

45、將多片硅片放置在一個(gè)石墨或碳纖維支架上，放入一個(gè)金屬的沉積腔室中，腔室中有平板型的電極，與樣品支架形成一個(gè)放電回路，在腔室中的工藝氣體在兩個(gè)極板之間的交流電場(chǎng)的作用下在空間形成等離子體，分解SiH4中的Si和H，以及NH3種的N形成SiNx沉積到硅表面。這種沉積系統(tǒng)目前主要是日本島津公司在進(jìn)行生產(chǎn)。</p><p>　?。?）間接法：或稱離域法。待沉積的樣品在等離子區(qū)域之外，等離子體不直接打到樣表面，樣品或其支撐

46、體也不是電極的一部分。間接法又分成兩種：</p><p>　　1），微波法：使用微波作為激發(fā)等離子體的頻段。微波源置于樣品區(qū)域之外，先將氨氣離化，再轟擊硅烷氣，產(chǎn)生SiNx分子沉積在樣品表面。這種設(shè)備目前的主要制造商為德國(guó)的Roth&Rau公司。</p><p>　　2），直流法：使用直流源激發(fā)等離子體，進(jìn)一步離化氨氣和硅烷氣。樣品也不與等離子體接觸。這種設(shè)備由荷蘭的OTB公司生產(chǎn)

47、。</p><p>　　目前，在中國(guó)微波法PECVD系統(tǒng)占據(jù)市場(chǎng)的主流，而管式PECVD系統(tǒng)也占據(jù)不少份額，而島津的板式系統(tǒng)只有5~6條生產(chǎn)線在使用。直流法PECVD系統(tǒng)還沒有進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)。除了上述幾種模式的PECVD系統(tǒng)外，美國(guó)的Applied Material公司還開發(fā)了磁控濺射PECVD系統(tǒng)，該系統(tǒng)使用磁控濺射源轟擊高純硅靶，在氨氣的氣氛中反應(yīng)濺射，形成SiNx分子沉積到樣品表面。這種技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是不使用易爆

48、的硅烷氣，安全性提高很多，另外沉積速率很高。</p><p>　　各種方法都有其有缺點(diǎn)：直接PECVD法對(duì)樣品表面有損傷，會(huì)增加表面少子的復(fù)合，但是也正是由于其對(duì)表面的轟擊作用，可以去除表面的一些自然氧化層，使得表面的雜質(zhì)原子得到抑制，另外直接法可以使得氫原子或氫離子更深入地進(jìn)入到多晶硅晶界中，使得晶界鈍化更充分。管式PECVD的氣流是從石英管一端引入，這樣也會(huì)造成工藝氣體分布的不均勻；板式PECVD系統(tǒng)由于襯底

49、板在長(zhǎng)期加熱后會(huì)有稍微的翹曲，從而造成平行板電極間距的不一致，也會(huì)造成片間不均勻。各種方法制備的薄膜的質(zhì)量也略有不同，原則上講，由于直接法中的等離子體直接作用于硅片表面，因此均勻性要好一些，而間接法等離子體是離子離化后形成SiNx擴(kuò)散到硅片表面的，薄膜的質(zhì)量較為酥松，而磁控濺射由于其工作方式的原因，薄膜最為酥松。對(duì)于致密的薄膜，其鈍化特性和減反射特性都要優(yōu)越得多。</p><p>　　4 PECVD設(shè)備構(gòu)成及各

50、部分功能</p><p>　　PECVD設(shè)備由粗抽真空泵（主要是機(jī)械泵），高真空組合泵組，真空沉積室，連接管道，閥門，加熱裝置，射頻電源，控制系統(tǒng)，冷卻系統(tǒng)，供特氣系統(tǒng)等組成。各部分的作用如下：</p><p>　?。?）機(jī)械泵：作為預(yù)抽泵，用來(lái)抽大氣</p><p>　?。?）真空室：提供鍍膜所需的環(huán)境（維持高真空，恒溫工作環(huán)境）</p><p

51、>　?。?）維持泵：位于分子泵前端，維持分子泵前端的壓力，達(dá)到安全使用分子泵的前提</p><p>　　（4）羅茨泵：加速抽真空的速度提高工作效率（在它的前級(jí)需要一個(gè)前級(jí)真空泵，為它提供一定的前級(jí)真空度，一般為500Pa）</p><p>　?。?）分子泵：使腔體獲得本底真空，相對(duì)減少氣體殘余成分（只有前級(jí)管道壓強(qiáng)達(dá)10Pa下才能開啟分子泵，一般使用分子泵抽本底真空的時(shí)間約為30mi

52、n）</p><p>　?。?）射頻電源：輸出功率通過(guò)連線加在極板上，使氣體離子化</p><p>　?。?）PLC：實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)信號(hào)和模擬信號(hào)之間的轉(zhuǎn)化</p><p>　　（8）變通導(dǎo)閥：主要起切斷和節(jié)流作用，能精確可控的控制壓力，控制與調(diào)節(jié)工藝過(guò)程中的沉積壓力</p><p>　?。?）用水系統(tǒng)：系統(tǒng)上的機(jī)械泵，羅茨泵，分子泵等都需要進(jìn)行冷

53、卻</p><p>　?。?0）供氣系統(tǒng)：PECVD中的供氣源幾乎都是各種鋼瓶，里面裝著各種高純氣體，通過(guò)氣路柜中的控制面板，管道輸送給PECVD裝置</p><p>　　5 PECVD沉積鍍膜真空室的設(shè)計(jì)要求與原則</p><p><b>　　5.1 設(shè)計(jì)參數(shù)</b></p><p>　　要求設(shè)計(jì)的真空室的尺寸為“

54、長(zhǎng)1300mm寬1045mm高810mm”,真空沉積鍍膜室采用不銹鋼盒形殼體，使用分子泵和羅茨泵機(jī)組抽氣，對(duì)于分子泵和羅茨泵泵進(jìn)行選配，射頻頻率13.56MHz，基片溫度300-450 ℃，工作壓力0.1-1Pa。</p><p>　　5.2 PECVD沉積鍍膜真空室的主要設(shè)計(jì)原則</p><p>　?。?）創(chuàng)造良好的安裝射頻電極位置，提供良好的電場(chǎng)條件，維持穩(wěn)定的輝光放電。</p

55、><p>　　（2）有良好的密封性能，漏氣，材料出氣小，應(yīng)方便開啟裝料</p><p>　　（3）殼體結(jié)構(gòu)，普通鋼結(jié)構(gòu)要滿足真空容器要求的強(qiáng)度、剛度條件</p><p>　?。?）提供充足的充氣源裝置（可通入si、N2）達(dá)到均勻彌散</p><p>　?。?）備有觀察、檢測(cè)、發(fā)訊等裝置。</p><p>　　5.3 PEC

56、VD沉積鍍膜室對(duì)抽氣系統(tǒng)的要求</p><p>　?。?）鍍膜機(jī)抽氣系統(tǒng)應(yīng)有足夠大的抽氣速率，該抽速即應(yīng)迅速抽走鍍膜過(guò)程中基片及真空室內(nèi)其他構(gòu)件所放出的氣體，也應(yīng)對(duì)鍍膜過(guò)程中滲氣及系統(tǒng)的泄漏等氣體量迅速地抽出。</p><p>　?。?）PECVD鍍膜機(jī)抽氣系統(tǒng)的極限壓強(qiáng)應(yīng)根據(jù)不同膜的要求，而有所不同。目前箱式PECVD鍍膜機(jī)的極限壓強(qiáng)可在1.3～2.6×10-3Pa范圍內(nèi)選擇

57、。</p><p>　?。?）在油擴(kuò)散泵為主泵的抽氣系統(tǒng)中，要求泵的返油率越小越好，否則返流的油蒸汽將會(huì)污染被鍍的玻璃表面，使膜層易于脫落。</p><p>　?。?）鍍膜室及抽氣系統(tǒng)的漏氣率要小。即或是微量氣體的漏入，也易影響膜的質(zhì)量，為了保證系統(tǒng)的密封性能，必須把系統(tǒng)的總漏率限制在一定的范圍之內(nèi)。目前這一范圍國(guó)內(nèi)尚無(wú)標(biāo)準(zhǔn)，設(shè)計(jì)時(shí)可根據(jù)工藝要求而定。</p><p&g

58、t;　?。?）真空系統(tǒng)的操作，使用及檢修維護(hù)應(yīng)方便，系統(tǒng)的抽氣性能應(yīng)穩(wěn)定可靠。</p><p>　　6 PECVD沉積鍍膜室主要部分的設(shè)計(jì)與計(jì)算</p><p>　　6.1 真空室殼體的設(shè)計(jì)與計(jì)算</p><p>　　6.1.1 真空室殼體的類型選擇</p><p>　　真空容器是構(gòu)成真空室的基本部件。在真空工程中，各種真空應(yīng)用對(duì)真空室的功

59、能要求不同，構(gòu)成真空室的真空容器形狀和大小就不相同。真空容器殼體主要有圓筒形殼體、球形殼體、圓錐形殼體、盒形殼體、橢圓球形殼體和圓環(huán)形殼體。</p><p>　　圓筒形殼體制造容易、強(qiáng)度好。球形殼體從穩(wěn)定性和節(jié)省材料上來(lái)說(shuō)是最好的，但球形制造困難，內(nèi)部有效利用空間小，因此應(yīng)用不多。盒形殼體制造復(fù)雜，耗費(fèi)金屬材料多。但其內(nèi)部可利用的空間大。為減少板材厚度，在盒形殼體上通常都使用了加強(qiáng)筋?？紤]到玻璃制造時(shí)的形狀以及實(shí)

60、際應(yīng)用結(jié)果，盒形殼體對(duì)此鍍膜生產(chǎn)線最適合。</p><p>　　因此，本設(shè)計(jì)真空鍍膜室的形狀采用盒形殼體。</p><p>　　6.1.2 真空室殼體的計(jì)算與校核</p><p>　　本設(shè)計(jì)采用1Cr18Ni9Ti作為真空室殼體材料，其，。為了減少盒形殼體的厚度，采用矩形截面的豎向加強(qiáng)筋，其中。真空室長(zhǎng)1300，寬1045，高810。</p><

61、p>　?。?）按強(qiáng)度極限確定許用應(yīng)力</p><p>　　（2）按屈服極限確定許用應(yīng)力</p><p><b>　　確定最小厚度</b></p><p><b>　?。?）確定實(shí)際厚度</b></p><p>　　壁厚附加量，：鋼板的最大負(fù)公差附加量，取0.5；：腐蝕裕度，取2；：封頭沖壓時(shí)的

62、拉伸減薄量，取0.4。故壁厚附加量為2.9。</p><p><b>　　所以實(shí)際厚度</b></p><p>　　圓整為7。又因?yàn)殇摪搴穸戎袥]有此規(guī)格，故取實(shí)際壁厚為8。</p><p>　　（5）校核水壓試驗(yàn)應(yīng)力</p><p><b>　　水的試驗(yàn)壓力</b></p><p

63、><b>　　水的靜壓力</b></p><p><b>　　總的壓力</b></p><p>　　當(dāng)做水壓試驗(yàn)時(shí)，矩形板的應(yīng)力為：</p><p>　　滿足水壓試驗(yàn)要求，故可取壁厚為8。</p><p>　?。?）加強(qiáng)筋尺寸計(jì)算</p><p>　　選取矩形截面豎向加

64、強(qiáng)筋，寬與高之比為，其截面模量為</p><p><b>　　則其加強(qiáng)筋的寬度為</b></p><p>　　取整為18即1.8。</p><p><b>　　則其高度為即</b></p><p>　?。?）計(jì)算加強(qiáng)筋和壁聯(lián)合的截面模數(shù)</p><p><b>　　

65、加強(qiáng)筋截面積</b></p><p><b>　　壁部分的截面積</b></p><p><b>　　加強(qiáng)筋截面的慣性矩</b></p><p>　　壁部分截面積的慣性矩</p><p>　　由壁到聯(lián)合重心的距離</p><p>　　加強(qiáng)筋與壁聯(lián)合作用的界面模量&

66、lt;/p><p>　?。?）校核水壓試驗(yàn)應(yīng)力</p><p>　　可見滿足水壓實(shí)驗(yàn)要求。</p><p>　　6.1.3 真空室的ANSYS分析</p><p>　?。?）真空室的外觀（三維圖截圖）</p><p><b>　　圖（1） </b></p><p><

67、;b>　　圖（2）</b></p><p>　　真空室的ANSYS分析</p><p><b>　　1）應(yīng)力圖</b></p><p><b>　　圖（3）</b></p><p><b>　　圖（4）</b></p><p>　　由圖

68、（3），圖（4）可知應(yīng)力最大處在箱體的邊角焊接處，尤其是焊縫交合處，采取調(diào)制熱處理可顯著降低并消除應(yīng)力</p><p><b>　　2）變形圖</b></p><p><b>　　圖（5）</b></p><p>　　施加極限壓強(qiáng)時(shí)，箱體發(fā)生的變形主要集中在箱體上板，其他面由于加強(qiáng)筋的作用產(chǎn)生的變形基本可以忽略。由ANYS

69、圖分析可知，箱體的最大變形為1.8mm,在允許的變形范圍內(nèi)，為安全起見我們將上板的厚度增加兩個(gè)毫米（由于上板可能要放置其他部件，故不便布置加強(qiáng)筋）</p><p>　　6.2 抽氣系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與計(jì)算</p><p>　　6.2.1 選泵與配泵</p><p>　　本系統(tǒng)采用分子泵和羅茨泵作為主泵，選用旋片泵作為預(yù)抽泵和前級(jí)泵。主泵可以利用下面的經(jīng)驗(yàn)公式計(jì)算。</

70、p><p>　　式中：V—鍍膜室的體積，L。</p><p>　　所以，分子泵的抽速為：</p><p>　　選用10臺(tái)抽速為3500的F—400/3500型渦輪分子泵。</p><p>　　羅茨泵的抽速可由下式算出：</p><p>　　因此，選用ZJP—70的羅茨泵作為分子泵的前級(jí)泵。</p><p

71、>　　通常，羅茨泵所配前級(jí)泵抽速根據(jù)經(jīng)驗(yàn)公式計(jì)算，旋片泵的抽速為：</p><p>　　選用2XZ—15的旋片泵作為羅茨泵的前級(jí)泵及真空系統(tǒng)的預(yù)抽泵。</p><p>　　6.2.2 抽氣時(shí)間的計(jì)算</p><p>　　（1）鍍膜機(jī)抽氣系統(tǒng)的氣體來(lái)源</p><p>　　真空鍍膜機(jī)的鍍膜室中，主要有如下幾種氣源：</p>

72、<p>　　抽空前真空室、管道、閥門、阱等元件中所含有的空氣；</p><p>　　原片玻璃所放出的氣體量；</p><p>　　真空室內(nèi)壁及室內(nèi)所有構(gòu)件表面因壓強(qiáng)降低和溫度升高所釋放出來(lái)的氣體量；</p><p>　　從真空室外漏入到系統(tǒng)內(nèi)的氣體量。</p><p>　　上述五項(xiàng)氣源中，第一項(xiàng)對(duì)計(jì)算高真空泵而言，這部分氣體主要在抽

73、氣系統(tǒng)預(yù)抽真空時(shí)被預(yù)抽真空泵抽走，因而它只是作為選擇預(yù)抽真空泵縮短預(yù)抽時(shí)間的依據(jù)。由于各種材料的放氣量不但數(shù)字差別很大，而且也不完整。因此，高真空的抽氣時(shí)間的計(jì)算結(jié)果與實(shí)際就有一定的出入。</p><p><b>　　（1）預(yù)抽時(shí)間計(jì)算</b></p><p>　　分子泵啟動(dòng)前先用選片泵預(yù)抽至10Pa，預(yù)抽管道大小和選片泵進(jìn)氣口徑一致。則選片泵從大氣壓抽到10Pa的抽

74、氣時(shí)間為：</p><p>　?。?）分子泵抽氣時(shí)間計(jì)算</p><p>　　分子泵抽氣范圍為，抽氣管道直徑為200mm，管道長(zhǎng)1000mm。</p><p>　　由于過(guò)渡態(tài)流導(dǎo)的計(jì)算比較復(fù)雜，工程上允許用分子流導(dǎo)計(jì)算代替。這樣不但計(jì)算簡(jiǎn)單而且設(shè)計(jì)偏于安全，因此可以將這個(gè)過(guò)程全部當(dāng)做高真空抽氣來(lái)計(jì)算。</p><p>　　對(duì)于高真空抽氣，有一

75、些特殊的地方要考慮。這時(shí)容器中空間的氣體已經(jīng)大大減少了，而其他氣源越來(lái)越成為主要的氣體負(fù)荷。其中有：微漏，滲漏，蒸發(fā)，表面解吸。高真空領(lǐng)域的抽氣，實(shí)際上是對(duì)伴隨排氣過(guò)程的變化所產(chǎn)生的放氣流量的排除。常用的近似計(jì)算高真空抽氣時(shí)間的方法有解析法和圖表法。本設(shè)計(jì)采用的是解析法。</p><p>　　真空室的主要表面放氣的對(duì)象及放氣率分別如下：</p><p>　　真空室內(nèi)表面： </p

76、><p>　　加熱片： </p><p>　　組合布?xì)夂斜砻妫?</p><p><b>　　解析法的求解方程：</b></p><p>　　分別在壓強(qiáng)為10Pa和壓強(qiáng)為時(shí)的時(shí)間t，二者相減可以得到高真空的抽氣時(shí)間</p><p>　　所以，總的抽氣時(shí)間為23min，再

77、加上分子泵啟動(dòng)時(shí)間，仍然滿足要求。</p><p>　　6.2 布?xì)庀到y(tǒng)的設(shè)計(jì)</p><p>　　6.2.1 布?xì)庀到y(tǒng)的作用</p><p>　　由于PECVD鍍膜是靠氣體的沉積形成薄膜，因此氣流的均勻性對(duì)薄膜的質(zhì)量有著非常重要的作用，布?xì)庋b置的作用便是使高流速的反應(yīng)氣體減速形成流速慢分布均勻，沖擊性小的氣流。其原理便是層層阻攔或者層層分離，使氣流盡量均勻，已達(dá)到

78、鍍膜時(shí)對(duì)氣體的要求。</p><p>　　6.2.1布?xì)庀到y(tǒng)的機(jī)構(gòu)</p><p>　　原理是讓氣體通過(guò)不斷分離的管道（口徑不斷變化）最后再在一定空間內(nèi)混合后一次通過(guò)布滿細(xì)孔的兩層板最后達(dá)到均勻性較好的氣流。一般的布?xì)庋b置就是氣流通過(guò)布滿細(xì)孔的管道，由此出來(lái)的氣體流速依然較強(qiáng)，并不能達(dá)到比較理想的效果。采用本結(jié)構(gòu)的布?xì)庀到y(tǒng)能實(shí)現(xiàn)氣體較好的均勻混合.</p><p>

79、<b>　　圖（6）</b></p><p><b>　　圖（7）</b></p><p><b>　　圖（8）</b></p><p><b>　　圖（9）</b></p><p>　　上圖是用Edrawing分解開的組合布?xì)庀到y(tǒng)的三維圖紙，在結(jié)構(gòu)上由上

80、下，左右，前后以及中間板，還有通氣管道組合而成。首先氣體通過(guò)管道進(jìn)入反置于上板內(nèi)壁的分離管路系統(tǒng)，此時(shí)氣體被分流成很多細(xì)束。隨后這些細(xì)束氣流再反向通過(guò)布滿細(xì)孔的中板，最后再通過(guò)布有更細(xì)孔的下板，此時(shí)進(jìn)來(lái)時(shí)的強(qiáng)氣流已成為流速較低，均勻性較好的工藝氣體，可以滿足鍍膜時(shí)對(duì)氣體的要求。</p><p>　　6.4機(jī)架的設(shè)計(jì)與計(jì)算</p><p>　　6.4.1 PECVD真空鍍膜室總重估計(jì)<

81、/p><p>　　真空室：六塊鋼板組成，鋼的密度為7.85g/cm3，則真空室殼體總重約2072Kg；</p><p>　　玻璃（電池板）：玻璃最大尺寸為360mm×254mm×10mm，密度為2.6g/cm3，質(zhì)量為24.7Kg；</p><p>　　布?xì)夂校嚎傊貫?4.6Kg；</p><p>　　加強(qiáng)筋：每個(gè)0.5Kg，

82、總重110.5Kg；</p><p>　　加熱片：總重40Kg；</p><p>　　因此，磁控濺射真空鍍膜室總重約為2271.8Kg。</p><p>　　6.4.2 機(jī)架的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與校核</p><p>　　機(jī)架采用槽鋼構(gòu)成，根據(jù)《機(jī)械設(shè)計(jì)手冊(cè)》選擇槽鋼型號(hào)為10#。（10＃槽鋼在平放時(shí)一米跨度能承受集中力為13.4KN，立放時(shí)一米跨度能

83、承受集中力為34.1KN[17]）。機(jī)架的結(jié)構(gòu)如上圖所示。</p><p>　　通過(guò)ANSYS的模擬分析，得到了圖所示的機(jī)架應(yīng)力分布圖。從圖中可以看出，機(jī)架的最大內(nèi)應(yīng)力為11.9MPa，小于槽鋼的屈服極限60MPa；機(jī)架的最大偏移量為0.08mm，滿足設(shè)計(jì)要求。</p><p>　　因此，所設(shè)計(jì)的機(jī)架滿足要求，可以使用。</p><p><b>　　結(jié)論&

84、lt;/b></p><p>　　本設(shè)計(jì)將等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)（PECVD技術(shù)）應(yīng)用到太陽(yáng)能電池板的研究和開發(fā)之中，設(shè)計(jì)出相應(yīng)的生產(chǎn)裝置和系統(tǒng)，并進(jìn)行一系列的基礎(chǔ)理論研究和成膜工藝研究以優(yōu)化工藝的流程和薄膜的性能，從而提高太陽(yáng)能電池板的成膜質(zhì)量和生產(chǎn)效率。本文介紹了PECVD鍍膜原理以PECVD鍍膜生產(chǎn)線的組成與各部分作用。PECVD技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，克服了傳統(tǒng)鍍膜工藝對(duì)高溫的依賴

85、，保證了低溫下能獲得較高的沉積速率和維持穩(wěn)定的鍍膜狀態(tài)，因而能夠很好的適用于工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)。在闡述PECVD技術(shù)原理的基礎(chǔ)上對(duì)PECVD鍍膜裝置的主體進(jìn)行設(shè)計(jì)，同時(shí)設(shè)計(jì)了布?xì)庀到y(tǒng)、抽氣系統(tǒng)、真空室殼體以及機(jī)架，完成了PECVD鍍膜裝置的總體設(shè)計(jì)。通過(guò)這一系列的訓(xùn)練，不僅鍛煉了自己的獨(dú)立思考能力以及學(xué)會(huì)了作為一名合格工科院校畢業(yè)生應(yīng)具備的分析處理問(wèn)題的方法，而且在學(xué)習(xí)的過(guò)程中也與老師和同學(xué)建立了深厚的友誼。</p><

86、;p><b>　　謝辭</b></p><p>　　為期三個(gè)月的畢業(yè)設(shè)計(jì)即將結(jié)束，在諸位老師的指導(dǎo)和同學(xué)的幫助指導(dǎo)之下，本人對(duì)于機(jī)械設(shè)計(jì)有了更多新的認(rèn)知，對(duì)機(jī)械設(shè)計(jì)的整體脈絡(luò)了解得更加的清晰透徹。通過(guò)畢業(yè)設(shè)計(jì)，使自己對(duì)自己大學(xué)四年以來(lái)所學(xué)的知識(shí)有更多的認(rèn)識(shí)，并且將這些理論知識(shí)應(yīng)用到實(shí)際設(shè)計(jì)當(dāng)中。 </p><p>　　通過(guò)畢業(yè)設(shè)計(jì)，幫助我們總結(jié)大學(xué)四年

87、收獲、提升自我。檢驗(yàn)我們大學(xué)所學(xué)的機(jī)械和真空方面的知識(shí)。同時(shí)，還幫助我們改變一些處理事情時(shí)不嚴(yán)謹(jǐn)?shù)牧?xí)慣。從最開始時(shí)的搜集資料，整理資料，到方案比選，確定方案，再到著手開始進(jìn)行PECVD裝置真空室、布?xì)庀到y(tǒng)和抽氣系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，每一步都是環(huán)環(huán)相扣，銜接緊密，其中任何一個(gè)步驟產(chǎn)生遺漏或者疏忽，就會(huì)對(duì)以后的設(shè)計(jì)帶來(lái)很多的不便。學(xué)生的動(dòng)手能力和資料搜集能力在設(shè)計(jì)中也得到提升。同時(shí)也激發(fā)了我們對(duì)于設(shè)計(jì)的熱愛，激發(fā)了我們的創(chuàng)新精神。畢業(yè)設(shè)計(jì)中很多數(shù)值、

88、公式、計(jì)算方法以及一些常用的標(biāo)準(zhǔn)都需要我們?nèi)ツ托牡夭殚啎瑸g覽資料，設(shè)計(jì)中需要用到輔助設(shè)計(jì)軟件（CAD,solidworks，ANSYS）的地方，也需要我們耐心的學(xué)習(xí)。掌握其使用的要領(lǐng)，運(yùn)用到設(shè)計(jì)當(dāng)中去。最后總結(jié)的階段，需要將前期各個(gè)階段的資料進(jìn)行歸類整理并不斷修改。 </p><p>　　經(jīng)過(guò)了兩個(gè)多月的學(xué)習(xí)和工作，我終于完成了《太陽(yáng)能電池PECVD裝置設(shè)計(jì)》的全部設(shè)計(jì)工作。從開始接到論文題目的不知

89、所措，再到進(jìn)行系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，最后到論文文章的完成，每走一步對(duì)我來(lái)說(shuō)都是新的嘗試與挑戰(zhàn)，這也是我在整個(gè)大學(xué)期間獨(dú)立完成的最艱難的項(xiàng)目。在這段時(shí)間里，我學(xué)到了很多新的知識(shí)也有很多感觸，從對(duì)PECVD技術(shù)的一無(wú)所知，對(duì)CAD，ANSYS等軟件的很不了解狀，我開始了獨(dú)立的學(xué)習(xí)和試驗(yàn)，查看相關(guān)的技術(shù)資料和文獻(xiàn)，讓自己頭腦中模糊的概念逐漸清晰，使自己不完美的作品一步步完善起來(lái)，使自己懶散的思維逐漸嚴(yán)謹(jǐn)起來(lái)，每一次改進(jìn)都是我最大的收獲，每一次嘗試的成功

90、都會(huì)讓我興奮不已。從中我也充分認(rèn)識(shí)到了系統(tǒng)性思維方式方式給我?guī)?lái)的好處。</p><p>　　雖然我的設(shè)計(jì)作品不是完美，還有很多不足之處，但我還是可以自豪的說(shuō)，每張圖紙，每一段計(jì)算，每一個(gè)細(xì)微的部分都有我的辛苦的勞動(dòng)。當(dāng)看著自己的最終設(shè)計(jì)，最終的努力成果，對(duì)自己而言真是莫大的欣慰。我相信其中的酸甜苦辣最終都會(huì)化為甜美的甘泉。</p><p>　　這次做論文的經(jīng)歷也會(huì)使我終身受益，我感受到做

91、設(shè)計(jì)是要真真正正用心去做的一件事情，希望這次的經(jīng)歷能讓我在以后學(xué)習(xí)中激勵(lì)我繼續(xù)進(jìn)步。畢業(yè)設(shè)計(jì)結(jié)束了，通過(guò)設(shè)計(jì)，學(xué)生深刻領(lǐng)會(huì)到基礎(chǔ)的重要性，畢業(yè)設(shè)計(jì)不僅僅能幫助學(xué)生檢驗(yàn)大學(xué)四年的學(xué)習(xí)成果，更多的是畢業(yè)設(shè)計(jì)可以幫助我們更加清楚的認(rèn)識(shí)自我，磨練學(xué)生的意志與耐性，這會(huì)為學(xué)生日后的工作和生活帶來(lái)很大的幫助。</p><p>　　在此衷心地感謝干蜀毅老師在設(shè)計(jì)過(guò)程中給我的精心指導(dǎo)和幫助，以及同學(xué)們給予的幫助，無(wú)論從資料的收集

92、還是工程圖的改進(jìn)，都使我在畢業(yè)設(shè)計(jì)的兩個(gè)月里受益匪淺。他們都給了我很多的幫助和啟示，使我認(rèn)識(shí)到了自己的不足，這次畢業(yè)設(shè)計(jì)一定會(huì)對(duì)我今后的學(xué)習(xí)和發(fā)展起到重要的作用。然后感謝真空教研組老師對(duì)學(xué)生的深切關(guān)心。感謝學(xué)校提供的教室，以便我們有足夠安靜的環(huán)境進(jìn)行畢業(yè)設(shè)計(jì)，使得我們每個(gè)星期都能夠與老師討論。</p><p>　　至此論文完成之際，再次向我的導(dǎo)師表示衷心的感謝和崇高的敬意！再次向指導(dǎo)我的學(xué)長(zhǎng)及幫助過(guò)我的同學(xué)致以誠(chéng)

93、摯的謝意！謝謝！</p><p><b>　　[參考文獻(xiàn)]</b></p><p>　　[1] 何建坤．中國(guó)“十一五”節(jié)能評(píng)估及“十二五”節(jié)能工作的建議．中國(guó)可持續(xù)能源項(xiàng)目網(wǎng)站，2009.11.27．</p><p>　　[2] 于萍，張雨絲．太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)與發(fā)展[J] ．太陽(yáng)能電池，2011，（4）：30-34．</p>

94、<p>　　[3] 施正榮，晶體硅太陽(yáng)能電池的現(xiàn)狀和發(fā)展，中國(guó)第七屆光伏會(huì)議論文集，杭州，2002.</p><p>　　[4] 李芬，朱穎，李劉合，等．等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)及其發(fā)展[J]．真空電子技術(shù)，2011,（3）：49-54．</p><p>　　[5] Heister U，Krempel-Hesse J，Szczyrbowski J，et al．TwinM

95、ag Ⅱ:Impro-ving an Advanced Sputtering Tool[J]．Vacuum，2000，59：424-430．</p><p>　　[6] Belkind，F(xiàn)reilich A，Song G，et al．Mid-Frequency Reactive Sputteri-ng of Dielectrics：Al2O3[J]．Surface and Coatings Technology

96、，2003,174-175:88-93．</p><p>　　[7] 李芮．化學(xué)氣相沉積技術(shù)[J]．印染，2008,34（5）：6-6．</p><p>　　[8] 張以忱．真空鍍膜技術(shù)[M]．北京：冶金工業(yè)出版社，2009．9．</p><p>　　[9] 楊乃恒．太陽(yáng)能電池板與真空鍍膜技術(shù)[M]．沈陽(yáng)：東北大學(xué)出版社，1994．11．</p>

97、<p>　　[10] 馬元遠(yuǎn)，王德苗，金浩，等．工藝參數(shù)對(duì)化學(xué)氣相沉積薄膜性能的影響[J]．</p><p>　　真空，2008，45（4）:70-74．</p><p>　　[11] Yu Senjiang，Zhang Yongju，Cai Pinggen，et al．Growth mechanism of ordered stress induced patterns

98、in Al films deposited on silicone oil s-urfaces[J]．Physics Letter A，2003,318:457-462．</p><p>　　[12] Zhang Yang，He Xiuli，Gao Xiaoguang，et al．Growth of Nano-Particu-lated SnO2 Film by Rheotaxial Growth &

99、Thermal Oxidation and Its Gas Sen-sing Properties[J]．Journal of Vacuum Science and Technology，2007,27（2）：118-122．</p><p>　　[13] 徐成海．真空工程技術(shù)[M]．北京：化學(xué)工業(yè)出版社，2006．5．</p><p>　　[14] 達(dá)道安．真空設(shè)計(jì)手冊(cè)（第3版）[M

100、]．北京：國(guó)防工業(yè)出版社，2004．7．</p><p>　　[15] 成大先．機(jī)械設(shè)計(jì)手冊(cè)（第5版）：第3卷[M]．北京：化學(xué)工業(yè)出版社，2008．1．</p><p>　　[16] 濮良貴，紀(jì)名剛．機(jī)械設(shè)計(jì)（第八版）[M]．北京：高等教育出版社，2005．5．</p><p>　　[17] 核工業(yè)西南物理研究院．大面積化學(xué)氣相沉積鍍工藝研究[P]．中國(guó)：C