PECVD法制備多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池研究.pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè)，還剩59頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶(hù)提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、PECVD法制備多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池研究Studyofpolycrystallinesilicon廿1iIlfilmsolarcellspreparedbyPECVD申請(qǐng)學(xué)位類(lèi)別和級(jí)別：理學(xué)碩士學(xué)位研究生：井維科學(xué)科專(zhuān)業(yè)：凝聚態(tài)物理指導(dǎo)老師：黃仕華教授學(xué)位授予單位：浙江師范大學(xué)論文提交日期：2013年4月1日摘要(1)利用金屬誘導(dǎo)使非晶硅薄膜晶化的方法，重點(diǎn)探索了金屬鋁(A1)和錫(Sn)對(duì)非晶硅晶化的影響。實(shí)現(xiàn)了在玻璃襯底上非晶硅的晶

2、化。利用鋁誘導(dǎo)，退火處理2小時(shí)，在500“(2實(shí)現(xiàn)了厚度約200nm的非晶硅薄膜晶化；利用金屬錫，非晶硅在400℃時(shí)開(kāi)始晶化，到450℃溫度時(shí)已經(jīng)得到晶化率較高的多晶硅薄膜。得到較實(shí)用的制備種晶層的工藝參數(shù)。(2)安裝調(diào)試實(shí)驗(yàn)室第一臺(tái)等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備(PECVD)，摸索出了本臺(tái)設(shè)備的使用特點(diǎn)，初步制備了氫化非晶硅薄膜(aSi：H)，對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)和光敏性進(jìn)行了測(cè)試分析，掌握了基本的工藝。初步制備PIN結(jié)構(gòu)的非晶硅薄膜電池，為制備非

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論